GD3600SGX170C4S,IGBT-Modul,Hochstrom-IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =100 o C

3600

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

7200

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

21.4

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

3600

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

7200

A

I FSM

Stoßvorwärtsstrom V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j =150 o C

23.22 19.95

kA

I 2t

I 2t-Wert,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C I 2t-Wert,V R =0V,T p =10ms ,t j =150 o C

2695

1990

kA 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =3600A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.30

V

I C =3600A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =3600A,V GE =15V, T j =150 o C

2.30

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =144,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

427

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

10.7

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

35.3

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 o C

1161

nS

t r

Aufstiegszeit

413

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

4761

nS

t k

Herbstzeit

430

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

1734

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2580

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =125 o C

1370

nS

t r

Aufstiegszeit

547

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

5303

nS

t k

Herbstzeit

457

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

2679

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2881

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =150 o C

1413

nS

t r

Aufstiegszeit

585

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

5490

nS

t k

Herbstzeit

473

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

2863

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

2960

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

14.0

kA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =3600A,V GE =0V,T j = 25o C

1.80

2.25

V

I K =3600A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I K =3600A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j =25 o C

207

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

1030

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

199

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j =125 o C

288

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

1020

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

339

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j =150 o C

391

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

996

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

341

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

6.0

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.085

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT )Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

6.2 11.3 4.0

K/kW

d Kriechen

Anschluss-zu-Wärmeableiter Anschluss-zu-Anschluss

32.2 32.2

mm

d Klar

Anschluss-zu-Wärmeableiter Anschluss-zu-Anschluss

19.1 19.1

mm

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Anschlussdrehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Gewicht von Modul

2060

g