IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oC   @ Tc= 100oc

493

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

1829

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

300

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

600

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc

2.25

Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

2.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V

36.1

NF

cAufnahme

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15 ...+15V

2.83

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,

RGoff= 4,7Ω, vGE=±15V,

tj=25oc

213

NS

tR

Aufstiegszeit

83

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

621

NS

tf

Herbstzeit

350

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

79.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,

RGoff= 4,7Ω, vGE=±15V,

tj= 125oc

240

NS

tR

Aufstiegszeit

92

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

726

NS

tf

Herbstzeit

649

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

104

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

108

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Das ist nicht wahr.RGon=3.3Ω,RGoff= 4,7Ω, 

vGE=±15V,tj= 150oc

248

NS

tR

Aufstiegszeit

95

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

736

NS

tf

Herbstzeit

720

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

115

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

116

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

1200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

DiodenvorwärtsSpannung

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE=-15V tj=25oc

82.5

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

407

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

46.6

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE=-15V tj=125oc

138

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

462

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

92.2

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE=-15V tj=150oc

154

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

460

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

109

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von R100

tc= 100 oC, R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

1.10

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.082 0.129

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)    Gehäuse-zu-Kühlkörper (per Diode)    Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.029 0.046 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

350

G