GD100HFX170C1S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

173

112

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

A

P D

Maximum Leistung Abgabe @ T vj =175 o C

666

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

200

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =100A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =100A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =100A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

7.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =25 o C

272

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

369

nS

t k

Herbstzeit

389

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

28.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =125 o C

296

nS

t r

Aufstiegszeit

66

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

448

nS

t k

Herbstzeit

576

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

40.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

24.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =150 o C

302

nS

t r

Aufstiegszeit

69

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

463

nS

t k

Herbstzeit

607

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

43.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =100A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I K =100A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I K =100A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =25 o C

23.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

85

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =125 o C

36.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

88

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =150 o C

46.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

91

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.225 0.391

K/W

R thCH

Fall -bis zu -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

150

g