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VCE = 1700 V
IC = 2 × 1000 A
Ultra-niedrige-Induktivitäts-Phasenarm-Module
Kompaktes Design mit sehr hoher Stromdichte; Parallelbetrieb ohne Leistungsabsenkung
AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungswechsellastfähigkeit; AlN-Trägersubstrat für geringen thermischen Widerstand
Verlustarme, schnelle und robuste SPT++-Chip-Sätze
Maximale Nennwerte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
mIN |
max |
Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
V CES |
V GE = 0 V, T vj ≥ 25 °C |
|
1700 |
V |
DC-Kollektor aktuell |
IC |
T C = 100 °C, T vj = 175 °C |
|
1000 |
A |
Spitzen-Kollektor aktuell |
ICm |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
Spannung des Tor-Emitters |
V GES |
|
-20 |
20 |
V |
Gesamtleistung abgabe |
Ptot |
T C = 25 °C, T vj = 175 °C |
|
5500 |
W |
DC Vorwärtsstrom |
IF |
|
|
1000 |
A |
Spitzenvorwärts aktuell |
IFRM |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
Stromstoß |
IFSM |
V R = 0 V, T vj = 175 °C, t p = 10 ms, halb -sinuswelle |
|
5400 |
A |
IGBT-Kurzschluss SOA |
t psc |
V CC = 1300 V, V CEM Chip ≤ 1700 V V GE ≤ 15 V, T vj starten ≤ 150 °C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung |
V isolierung |
1 min, f = 50 HZ |
|
4000 |
V |
Junction-Temperatur |
T vj |
|
-40 |
175 |
°C |
Übergangsbetrieb temperatur |
T vj (op ) |
|
-40 |
175 |
°C |
Gehäusetemperatur |
T C |
|
-40 |
150 |
°C |
Lagertemperatur |
T stg |
|
-40 |
125 |
°C |
|
Montagedrehmomente 2) |
Ms |
Basis -heizkessel , M6 schrauben |
4 |
6 |
Nm |
Mt 1 |
Hauptanschlüsse, M8 schrauben |
8 |
10 |
||
Mt 2 |
Hilfsanschlüsse, M3-Schrauben |
0.9 |
1.1 |

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