Qısa giriş
IGBT ماژول ,istehsal edən STARPOWER . 1200V 800A.
Xüsusiyyətlər
-
L trench IGBT texnologiyası ilə aşağı VCE(sat)
- 10μs قیسا دایره قابیلیتی
- VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
-
Maksimum qoşma temperaturu 175 °C
- آز ایندوکتانسلی قاب
- سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
- Si3N4 subtratasi üçün aşağı termal müqavimət
- Si3N4 AMB texnologiyasını istifadə edən izolyasiya qovduqlu bakır bazaplat
تطبيقات نموذجي
- Hibrid və elektrikli nəqliyyat vasitəsi
- موتور حرکت اوچون اینورتر
- Mənfiyyatsız Təminatlı Enerji Taminatı
مطلق Maksimum درجه بندي T F =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş
IGBT
سیمبول |
Təsvir |
Qiymət |
Vahid |
V CES |
کلکتور-ایمیتر ولتاژ |
1200 |
V |
V GES |
گئچمه-پریشان ولتاژ |
±20 |
V |
I C |
Kolektor Cari @ T C =100 o C |
800 |
A |
I SM |
İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms |
1600 |
A |
P D |
اعظمي گوٴرچولوق j =175 o C |
5172 |
W |
دیود
سیمبول |
Təsvir |
Qiymət |
Vahid |
V RRM |
تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش |
1200 |
V |
I F |
دیود دواملی ایلک Cu اجاره |
800 |
A |
I Fm |
Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms |
1600 |
A |
Modul
سیمبول |
Təsvir |
Qiymət |
Vahid |
T jmax |
اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی |
175 |
o C |
T جوپ |
یئرین ایشله مه درجه سی |
-40 تا +150 |
o C |
T STG |
Qoruş Temperatur Diapazonu |
-40 تا +125 |
o C |
V ISO |
İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t= 1 دقیقه |
2500 |
V |
IGBT Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
V CE ((sat)
|
جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ
|
I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T j =25 o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T j =125 o C |
|
2.30 |
|
I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T j =150 o C |
|
2.40 |
|
V ژئروژنیک (th ) |
گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik |
I C =24.0 ma ,V CE = V ژئروژنیک , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
کلکسیونر کس -آفلای Cürrent |
V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T j =25 o C |
|
|
1.0 |
ma |
I GES |
گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent |
V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R گئنت |
داخلی قاپی مقاومتی |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
ورگين قابليت |
V CE =25V,f=1Mhz, V ژئروژنیک =0V |
|
62.1 |
|
nF |
C res |
گئری یوللانما ظرفیت |
|
1.74 |
|
nF |
Q G |
قاپی باج |
V ژئروژنیک =-15...+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (açıq ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C =800A, R G =1.0Ω, V ژئروژنیک =±15V، L S =40 nH ,T j =25 o C
|
|
266 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
98 |
|
ns |
t d ((آف)) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
394 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
201 |
|
ns |
E açıq |
چاليش Kənarlaşdırma Itirki |
|
108 |
|
mJ |
E آفلای |
ایستیقلال Itirki |
|
73.8 |
|
mJ |
t d (açıq ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C =800A, R G =1.0Ω, V ژئروژنیک =±15V، L S =40 nH ,T j =125 o C
|
|
280 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
115 |
|
ns |
t d ((آف)) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
435 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
275 |
|
ns |
E açıq |
چاليش Kənarlaşdırma Itirki |
|
153 |
|
mJ |
E آفلای |
ایستیقلال Itirki |
|
91.3 |
|
mJ |
t d (açıq ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C =800A, R G =1.0Ω, V ژئروژنیک =±15V، L S =40 nH ,T j =150 o C
|
|
282 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
117 |
|
ns |
t d ((آف)) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
446 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
290 |
|
ns |
E açıq |
چاليش Kənarlaşdırma Itirki |
|
165 |
|
mJ |
E آفلای |
ایستیقلال Itirki |
|
94.4 |
|
mJ |
I SC
|
SC Data (داتا)
|
t P ≤10μs V ژئروژنیک =15V،
T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
دیود Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
V F
|
دیود جلو Gərginlik |
I F =800A,V ژئروژنیک =0V,T j =25 o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
I F =800A,V ژئروژنیک =0V,T j =1 25o C |
|
2.15 |
|
I F =800A,V ژئروژنیک =0V,T j =1 50o C |
|
2.20 |
|
Q r |
آلدیغی باج |
V CC =600V،I F =800A,
-di/dt=5800A/μs،V ژئروژنیک =-15V، L S =40 nH ,T j =25 o C
|
|
48.1 |
|
μC |
I RM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
264 |
|
A |
E رئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
18.0 |
|
mJ |
Q r |
آلدیغی باج |
V CC =600V،I F =800A,
-di/dt=4800A/μs,V ژئروژنیک =-15V، L S =40 nH ,T j =125 o C
|
|
95.3 |
|
μC |
I RM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
291 |
|
A |
E رئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
35.3 |
|
mJ |
Q r |
آلدیغی باج |
V CC =600V،I F =800A,
-di⁄dt=4550A⁄μs,V ژئروژنیک =-15V، L S =40 nH ,T j =150 o C
|
|
107 |
|
μC |
I RM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
293 |
|
A |
E رئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
R 25 |
نومره لی مقاومت |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
انحراف of R 100 |
T C =100 o C " آر 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güc
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
R thJC |
گئچمه -ilə -Hal (perIGBT ) گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
R thCH
|
قاب-تا-تزنج (هر IGBT) Kasa-İstilik Sinkinə (hər diod üçün) قاب-تا-تزنج (هر ماژول) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
M |
ترمینال اتصال تورک مچرو M6 تورک مونتاژ مچرو M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Çəki of Modul |
|
350 |
|
g |