Qısa giriş
IGBT ماژول , STARPOWER tərəfindən istehsal edilib. 1200V 200A.
Xüsusiyyətlər
- NPT IGBT تکنولوژی
- 10μs قیسا دایره قابیلیتی
- Aşağı keçid itkiləri
- بير چوخ تئز رفتارلا گوجلودور
- VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
- آز ایندوکتانسلی قاب
- سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
- DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه
تطبيقات نموذجي
- چئویریجی حالتده اولان برق منبع لری
- ایندوکسیو گرمی
- ایلیکترونیک ولدر
مطلق Maksimum درجه بندي T C =25 °C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Təsvir |
GD200SGU120C2S |
Birliklər |
V CES |
کلکتور-ایمیتر ولتاژ |
1200 |
V |
V GES |
گئچمه-پریشان ولتاژ |
±20 |
V |
I C |
Kolektor Cari @ T C =25 °C
@ T C =80 °C
|
320
200
|
A |
I SM |
İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1 ms |
400 |
A |
I F |
Diod Davamlı İrəliləyən Cərəyan @ T C =80 °C |
200 |
A |
I Fm |
Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms |
400 |
A |
P D |
اعظمي گوٴرچولوق j =1 50°C |
1645 |
W |
T jmax |
اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی |
150 |
°C |
T STG |
Saxlama temperaturu Məsafə |
-40 تا +125 |
°C |
V ISO |
İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
Quraşdırma Dövşər küçü |
سیگنال ترمینال پیچ:M4 |
1.1 to 2.0 |
|
د پاور ترمینال پیچ:M6 |
2.5 تا 5.0 |
N.M |
قایناغی:M6 |
3.0-dan 5.0 |
|
Elektrik Xarakteristikalar of IGBT T C =25 °C مگر digər halda qeyd olunmuş
بير سيخينتي
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
V (BR )CES |
جمع ائدن-صادر ائدن
Bozulma Cihaz Gerilməsi
|
T j =25 °C |
1200 |
|
|
V |
I CES |
کلکسیونر کس -آفلای
Cürrent
|
V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T j =25 °C |
|
|
5.0 |
ma |
I GES |
گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent |
V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T j =25 °C |
|
|
400 |
nA |
خصوصیتلر باره ده
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
V ژئروژنیک (th ) |
گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik |
I C =2.0 ma ,V CE = V ژئروژنیک , T j =25 °C |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
V CE ((sat)
|
جمع ائدن دن صادر ائدنه
شورولوش ولتاژ
|
I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T j =25 °C |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T j =125 °C |
|
3.45 |
|
دَيَرلرين دييشيلمه سي
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
t d (açıq ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C =200A, R G =4.7Ω،V ژئروژنیک =±15V، T j =25 °C
|
|
577 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
120 |
|
ns |
t d (آفلای ) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
540 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
123 |
|
ns |
E açıq |
چاليش Kənarlaşdırma Itirki |
|
16.3 |
|
mJ |
E آفلای |
ایستیقلال Itirki |
|
12.0 |
|
mJ |
t d (açıq ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C =200A, R G =4.7Ω،V ژئروژنیک =±15V، T j =125 °C
|
|
609 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
121 |
|
ns |
t d (آفلای ) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
574 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
132 |
|
ns |
E açıq |
چاليش Kənarlaşdırma Itirki |
|
22.0 |
|
mJ |
E آفلای |
ایستیقلال Itirki |
|
16.2 |
|
mJ |
C ies |
ورگين قابليت |
V CE =30V,f=1MHz,
V ژئروژنیک =0V
|
|
16.9 |
|
nF |
C اوْ |
خروجی ظرفیت |
|
1.51 |
|
nF |
C res |
گئری یوللانما
ظرفیت
|
|
0.61 |
|
nF |
I SC
|
SC Data (داتا)
|
t P ≤10μs،V ژئروژنیک =15 V,
T j =125 °C V CC =900V، V CEM ≤1200V
|
|
1800
|
|
A
|
L CE |
یولدان چیخما ایندوکتانس |
|
|
|
20 |
nH |
R CC+EE
|
ماژول سرب
مقاومت،
ترمینال چیپ
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Elektrik Xarakteristikalar of دیود T C =25 °C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
V F |
دیود جلو
Gərginlik
|
I F =200A |
T j =25 °C |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125 °C |
|
1.92 |
|
Q r |
یئنی دن یارانمیش
Şarj
|
I F =200A,
V R =600V،
R G =4.7Ω،
V ژئروژنیک =-15V
|
T j =25 °C |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125 °C |
|
26.1 |
|
I RM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
T j =25 °C |
|
123 |
|
A |
T j =125 °C |
|
172 |
|
E رئچ |
عكس بازيافت Enerji |
T j =25 °C |
|
7.0 |
|
mJ |
T j =125 °C |
|
12.9 |
|
حرارتي خصوصيت ics
سیمبول |
Parametr |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
R θ JC |
گئنیشلیک (IGB) T) |
|
0.076 |
K/W |
R θ JC |
گئچمه (د) یود) |
|
0.128 |
K/W |
R θ CS |
قاشق-بؤیوک لئیک (Conductive grease app) یالانچی |
0.035 |
|
K/W |
Çəki |
Çəki Modul |
300 |
|
g |