Qısa təqdimat
IGBT ماژول ,sTARPOWER tərəfindən istehsal edilib. 1200V 200A.
Xüsusiyyətlər
- آز VCE (sat) Trench IGBT تکنولوژی
- VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
- Aşağı keçid itkiləri
-
Maksimum qoşma temperaturu 175 ℃
- آز ایندوکتانسلی قاب
- سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
- DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه
تطبيقات نموذجي
- Mənfiyyatsız Təminatlı Enerji Taminatı
- ایندوکسیو گرمی
- Səth Qaynaq Maşını
مطلق Maksimum درجه بندي T C=25o C مگر digər halda qeyd olunmuş
IGBT
سیمبول |
TƏSVİR |
ارزشه |
Vahid |
V CES |
کلکتور-ایمیتر ولتاژ |
1200 |
V |
V GES |
گئچمه-پریشان ولتاژ |
±20 |
V |
IC |
Kolektor Cari @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
309
200
|
A |
ISm |
İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms |
400 |
A |
PD |
اعظمي گوٴرچولوق =175o C |
1006 |
W |
دیود
سیمبول |
TƏSVİR |
ارزشه |
Vahid |
V RRM |
تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ |
1200 |
V |
IF |
دیود دواملی ایلک قیر اجاره |
200 |
A |
IFm |
Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms |
400 |
A |
Modul
سیمبول |
TƏSVİR |
ارزشه |
Vahid |
T jmax |
اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی |
175 |
o C |
T جوپ |
یئرین ایشله مه درجه سی |
-40 تا +150 |
o C |
T STG |
Saxlama temperaturu Məsafə |
-40 تا +125 |
o C |
V ISO |
İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 dQ |
2500 |
V |
IGBT Xarakteristikalar T C=25o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
|
V CE ((sat)
|
جمع ائدن دن صادر ائدنه
شورولوش ولتاژ
|
IC=200A,V ژئروژنیک =15V، T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=200A,V ژئروژنیک =15V، T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=200A,V ژئروژنیک =15V، T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ژئروژنیک (th) |
گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik |
IC=5.0ma ,V CE =V ژئروژنیک , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
کلکسیونر Kəsilə bilər -آفلای
Cari
|
V CE =V CES ,V ژئروژنیک =0V،
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
ma |
IGES |
گئچمیش-ایمیتر لیک Cari |
V ژئروژنیک =V GES ,V CE =0V، T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R گئنت |
داخلي قاپي مقاومتي آلانس |
|
|
4.0 |
|
ω |
t d (aktiv ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j =25o C
|
|
150 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
32 |
|
ns |
t d (آفلای ) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
330 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
93 |
|
ns |
Eaktiv |
چاليش Kənarlaşdırma
Itirki
|
|
11.2 |
|
mJ |
Eآفلای |
ایستیقلال
Itirki
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (aktiv ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j = 125o C
|
|
161 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
37 |
|
ns |
t d (آفلای ) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
412 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
165 |
|
ns |
Eaktiv |
چاليش Kənarlaşdırma
Itirki
|
|
19.8 |
|
mJ |
Eآفلای |
ایستیقلال
Itirki
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (aktiv ) |
تورن-توقتیش واختی |
V CC =600V،I C=200A, R G= 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j = 150o C
|
|
161 |
|
ns |
t r |
یوکسلیش واختی |
|
43 |
|
ns |
t d (آفلای ) |
ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı |
|
433 |
|
ns |
t f |
پاييز زاماني |
|
185 |
|
ns |
Eaktiv |
چاليش Kənarlaşdırma
Itirki
|
|
21.9 |
|
mJ |
Eآفلای |
ایستیقلال
Itirki
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Data (داتا)
|
t P≤10μs،V ژئروژنیک =15V،
T j =150o C,V CC =900V، V CEM ≤1200V
|
|
800
|
|
A
|
دیود Xarakteristikalar T C=25o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Birliklər |
|
V F
|
دیود جلو
Gərginlik
|
IF =200A,V ژئروژنیک =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
IF =200A,V ژئروژنیک =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
IF =200A,V ژئروژنیک =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
S r |
آلدیغی باج |
V R =600V،I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j =25o C
|
|
17.6 |
|
μC |
IRM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
228 |
|
A |
Eرئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
7.7 |
|
mJ |
S r |
آلدیغی باج |
V R =600V،I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j =125o C
|
|
31.8 |
|
μC |
IRM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
238 |
|
A |
Eرئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
13.8 |
|
mJ |
S r |
آلدیغی باج |
V R =600V،I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j =150o C
|
|
36.6 |
|
μC |
IRM |
اوجون آرتیق
یئنی دن یئرلشمه جریانی
|
|
247 |
|
A |
Eرئچ |
عكس بازيافت Enerji |
|
15.2 |
|
mJ |
NTC Xarakteristikalar T C=25o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
یازیقلار |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
R 25 |
نومره لی مقاومت |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
انحراف ilə R 100 |
T C= 100 o C،R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Güc
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-قیمت |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Xarakteristikalar T C=25o C مگر digər halda qeyd olunmuş
سیمبول |
Parametr |
Min. |
تایپ. |
Maks. |
Vahid |
LCE |
یولدان چیخما ایندوکتانس |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul baş müqaviməti e, TerminalChip |
|
1.80 |
|
mΩ |
R thJC |
گئنیشلیک (IGB) T)
گئچمه (د) یود)
|
|
|
0.149
0.206
|
K/W |
|
R thCH
|
قاب-تا-تزنج (هر IGBT)
ایشاره-دَییشدیر: دیود)
Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
K/W |
M |
قایناغی:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Çəki ilə Modul |
|
300 |
|
g |
EN
