YMIBD500-33,وحدة IGBT,IGBT مفتاح مزدوج,CRRC

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(القيمة)

(وحدة)

الـ VCES

الجهد الكليّ - الإصدار

V GE = 0V،Tvj = 25 درجة مئوية

3300

V

V GES

فولتاج جهاز البوابة

± 20

V

(أ)

التيار الكليّ - الناشر

حالة T = 100 °C ، Tvj = 150 °C

500

أ

I C ((PK)

ذروة التيار في مجمع

1 مللي ثانية، درجة حرارة الحالة = 140 °م

1000

أ

الحد الأقصى للقدرة

أقصى استنزاف طاقة الترانزستور

Tvj = 150 °C، T حالة = 25 °C

5.2

كيلو واط

1 2t

الديود

VR =0V، t P = 10ms، Tvj = 150 °C

80

kA2s

فيزول

فولتاج العزل لكل وحدة

الأطراف المشتركة إلى لوحة القاعدة)،

معدل التردد المتردد، دقيقة واحدة، 50 هرتز

6000

V

(ق) (د)

إفراز جزئي لكل وحدة

الـ (IEC1287) V 1 = 3500 فولت، V2 = 2600 فولت، 50 هرتز RMS، TC = 25 °C

10

pC

T حالة دراسية = 25 درجة ج T حالة دراسية = 25 درجة ج ما لم ذكر خلاف ذلك

(الرمز )

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(دقيقة )

(نوع )

(أقصى حد )

(الوحدة )

تُستخدَم CES

التيار القطع للكولكتور

V جنرال = 0V، V CE = V CES

1

م.أ.

V جنرال = 0V، V CE = V CES , T حالة دراسية = 125 درجة مئوية

30

م.أ.

V جنرال = 0V، V CE = V CES , T حالة دراسية =150 °C

50

م.أ.

تُستخدَم GES

تسرب البوابة حالي

V جنرال = ± 20 فولت V CE = 0 فولت

1

μA

V جنرال (TH)

الجهد الحدودي للبوابة

تُستخدَم ج = 40 م.أ. , V جنرال = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (جلس )(*1)

ملء الكولكتور والمنبع الجهد الكهربائي

V جنرال =15 فولت تُستخدَم ج = 500A

2.40

2.90

V

V جنرال =15 فولت تُستخدَم ج = 500A، T vj = 125 °م

2.95

3.40

V

V جنرال =15 فولت تُستخدَم ج = 500A، T vj = 150 °م

3.10

3.60

V

تُستخدَم ف

التيار الأمامي للديود

تيار مستمر

500

أ

تُستخدَم الـ FRM

أقصى قدر من الديود إلى الأمام حالي

t فوسفور = 1 مللي ثانية

1000

أ

V ف (*1)

الجهد الأمامي للديود

تُستخدَم ف = 500A

2.10

2.60

V

تُستخدَم ف = 500A، T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

تُستخدَم ف = 500A، T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

ج يس

سعة الدخول

V CE = 25 فولت V جنرال = 0V، ف = 1MHz

90

الـ NF

س ج

رسوم البوابة

± 15 فولت

9

ميكروسانتيرول

ج ريس

القدرة على نقل العكسية إقتباس

V CE = 25 فولت V جنرال = 0V، ف = 1MHz

2

الـ NF

م م

وحدة الحث

25

nH

القضيب INT

المقاومة الداخلية للمترانزستور

310

μΩ

تُستخدَم SC

قصر دائرة التيار تُستخدَم SC

T vj = 150 درجة مئوية V سي سي = 2500 فولت V جنرال ≤15 فولت t فوسفور ≤10μs

V CE (أقصى حد ) = V CES – م (*2) ×دي /dt ,IEC 6074-9

1800

أ

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

nS

t t

وقت الخريف

520

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

780

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

650

nS

tr

وقت الارتفاع

260

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

730

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

390

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

420

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

480

ملي جول

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(الحد الأدنى)

(النوع)

(الحد الأقصى)

(وحدة)

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

nS

t t

وقت الخريف

550

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

900

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

630

nS

tr

وقت التحسن وقت الارتفاع

280

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

880

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

620

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

460

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

760

ملي جول

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(الحد الأدنى)

(النوع)

(الحد الأقصى)

(وحدة)

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

nS

t t

وقت الخريف

560

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

1020

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

620

nS

tr

وقت الارتفاع

280

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

930

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

720

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

490

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

900

ملي جول