MTx800 MFx800 MT800، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالهواء

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

600V

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800 فولت

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200 فولت

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃)

القيمة

الوحدة

دقيقة

نوع

أقصى حد

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180°نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=70 ℃

125

800

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

1256

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

45

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر،

125

22.0

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

2420

103A2s

VTO

الجهد الحدودي

125

0.80

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.24

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=2400A

25

1.68

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.048

℃)/W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.020

℃)/W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

V

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12.0

16.0

ن·م

عزم الدوران التثبيت ((M8)

10.0

12.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃)

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃)

و

الوزن

3310

ج

المخطط

410F3