مقدمة موجزة
موديول ثريستور/دايوود، MTx 800 الـ MFx 800 MT800，800أ ,جوي التبريد ，تم إنتاجه بواسطة TECHSEM .
VRRM,VDRM |
النوع والمخطط |
600V |
MTx800-06-410F3 |
MFx800-06-410F3 |
800 فولت |
MTx800-08-410F3 |
MFx800-08-410F3 |
1000V |
MTx800-10-410F3 |
MFx800-10-410F3 |
1200 فولت |
MTx800-12-410F3 |
MFx800-12-410F3 |
1400V |
MTx800-14-410F3 |
MFx800-14-410F3 |
1800V |
MTx800-16-410F3 |
MFx800-16-410F3 |
1800V |
MTx800-18-410F3 |
MFx800-18-410F3 |
1800V |
MT800-18-410F3G |
|
MTx يعني أي نوع (ميتش) MTA MTK
MFx تعني أي نوع e من MFC، خارجية المطار
الميزات
- قاعدة تركيب معزولة 3000V~
- تقنية الاتصال بالضغط مع
- زيادة قدرة دورة الطاقة
- توفير المساحة والوزن
التطبيقات النموذجية
- محركات محركات AC/DC
- مقومات متنوعة
- إمدادات التيار المباشر لتحويل PWM
|
الرمز
|
خاصية
|
ظروف الاختبار
|
Tj( ℃) |
القيمة |
الوحدة
|
دقيقة |
النوع |
أقصى حد |
(IT)) |
متوسط تيار الحالة النشطة |
180°نصف موجة الصين 50 هرتز
تبريد جانب واحد، TC=70 ℃
|
125
|
|
|
800 |
أ |
IT ((RMS) |
تيار الحالة RMS |
|
|
1256 |
أ |
Idrm Irrm |
تيار الذروة المتكرر |
عند VDRM عند VRRM |
125 |
|
|
45 |
م.أ. |
ITSM |
تيار الحالة النشطة المفاجئ |
VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر، |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
I2t لتنسيق الفيوز |
125 |
|
|
2420 |
103A2s |
VTO |
الجهد الحدودي |
|
125
|
|
|
0.80 |
V |
rT |
مقاومة ميل الحالة النشطة |
|
|
0.24 |
mΩ |
VTM |
جهد الذروة في الحالة النشطة |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.68 |
V |
dv/dt |
معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي |
مصدر البوابة 1.5A
tr ≤0.5μs متكرر
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
إيه جي تي |
تيار تحفيز البوابة |
VA=12V، IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
م.أ. |
Vgt |
جهد تحفيز البوابة |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
تيار الاحتفاظ |
10 |
|
200 |
م.أ. |
إيل |
تيار التثبيت |
|
|
1500 |
م.أ. |
VGD |
جهد البوابة غير المحفز |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.048 |
℃)/W |
Rth(c-h) |
مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد |
تبريد من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.020 |
℃)/W |
فيزو |
فولتاج العزل |
50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى) |
|
3000 |
|
|
V |
|
فم
|
عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
ن·م |
عزم الدوران التثبيت ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
ن·م |
تيفي |
درجة حرارة الوصلة |
|
|
-40 |
|
125 |
℃) |
TSTG |
درجة حرارة التخزين |
|
|
-40 |
|
125 |
℃) |
و |
الوزن |
|
|
|
3310 |
|
ج |
المخطط |
410F3 |
EN
