MTx500 MFx500 MT500، وحدات الثريستور / الديود، تبريد بالماء

الخامس RRM ، V DRM

النوع المخطط

2000 فولت

MTx500-20-406F3

MFx500-20-406F3

2200 فولت

MT3 مادة حيوية

MFx500-22-406F3

2500 فولت

MTx500-25-406F3

MFx500-25-406F3

2500 فولت

MT500-25-406F3G

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180‬ نصف موجة الجيب 50 هرتز

تبريد جانب واحد، THS=55 ℃

125

500

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

785

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

45

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر

125

13

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

845

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.87

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.60

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=1500A

25

2.15

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.085

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.040

℃ /W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

الخامس

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12

14

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

1580

g

المخطط

406F3