تيرستور التحكم في المرحلة

H150KPU، ثايرستور التحكم في الطور

رقم الجزء H150KPU-KT140cT

Brand:

تكنولوجيا SEM

Spu:

H150KPU-KT140cT

Appurtenance:

كتيب المنتج:تحميل

مقدمة
المخطط

مقدمة

(IT))

4200أ

VDRM، VRRM

7500V 8000V

8500V

الميزات ：

بوابة تضخيم مركزية
علبة معدنية مع عازل سيراميكي
خسائر منخفضة في حالة التشغيل والتبديل

التطبيقات النموذجية ：

أ وحدات التحكم C
التحكم في محركات التيار المستمر والمتردد
مقومات التحكم

الرمز	الخصائص	ظروف الاختبار		Tj(°C )	القيمة			وحدة
الرمز	الخصائص	ظروف الاختبار		Tj(°C )	دقيقة	نوع	ماكس	وحدة
(IT))	متوسط تيار الحالة النشطة	180° نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب	TC=70 ℃	100			4200	أ
VDRM VRRM	جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف جهد الذروة العكسي المتكرر	tp=10ms		125	7300		8500	V
Idrm Irrm	تيار الذروة المتكرر	عند VDRM عند VRRM		100			800	م.أ.
Idrm Irrm	تيار الذروة المتكرر	@7000V، تيار مستمر		25			100	μA
ITSM	تيار الحالة النشطة المفاجئ	10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM		100			100	kA
I2t	I2t لتنسيق الفيوز	10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM		100			50000	103A2s
VTO	الجهد الحدودي			100			1.56	V
rT	مقاومة ميل الحالة النشطة			100			0.12	mΩ
VTM	جهد الذروة في الحالة النشطة	ITM=5000A، F=120kN		25			2.40	V
dv/dt	معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف	VDM=0.67VDRM		100			2000	V/μs
di/dt	معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي	VDM= 67%VDRM، نبضات البوابة tr ≤ 0.5μs IGM=1.5A		100			600	A/μs
قصر	رسوم الاسترداد	ITM=3000A، tp=4000µs، di/dt=-5A/µs، VR=100V		100		9200		ميكروسانتيرول
إيه جي تي	تيار تحفيز البوابة	VA=12V، IA=1A		25	40		300	م.أ.
Vgt	جهد تحفيز البوابة				0.8		3.5	V
IH	تيار الاحتفاظ				20		1000	م.أ.
إيل	تيار التثبيت						1000	م.أ.
VGD	جهد البوابة غير المحفز	VDM=67%VDRM		100			0.3	V
Rth(j-c)	المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة	عند 180 。جيبية، تبريد مزدوج الجوانب قوة التثبيت 120kN					0.0020	。C /W
Rth(c-h)	مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد	عند 180 。جيبية، تبريد مزدوج الجوانب قوة التثبيت 120kN					0.0005	。C /W
فم	قوة التركيب				165	175	190	كيلو نيوتن
تيفي	درجة حرارة الوصلة				-40		100	℃
TSTG	درجة حرارة التخزين				-40		140	℃
و	الوزن					4000		g
المخطط	KT140cT