مقدمة موجزة
وحدة ثايريستور/ديود e، MTx1000 MFx1000 الـ MT1000 ，1000أ ,تبريد المياه ，تم إنتاجه بواسطة TECHSEM .
VRRM,VDRM |
النوع والمخطط |
|
600V
800 فولت
1000V
1200 فولت
1400V
1600V
1800V
1800V
|
MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 |
MFx1000-06-411F3
MFx1000-08-411F3
MFx1000-10-411F3
MFx1000-12-411F3
MFx1000-14-411F3
MFx1000-16-411F3
MFx1000-18-411F3
|
|
MTx تعني أي نوع من MTC، MTA، MTK
MFx يعني أي نوع من MFC، MFA، MFK
|
المزايا
- قاعدة تركيب معزولة 3000V~
- تقنية الاتصال بالضغط مع
- زيادة قدرة دورة الطاقة
- توفير المساحة والوزن
التطبيقات النموذجية
- محركات محركات AC/DC
- مقومات متنوعة
- إمدادات التيار المباشر لتحويل PWM
|
الرمز
|
الخصائص
|
ظروف الاختبار
|
Tj( ℃) |
القيمة |
الوحدة
|
دقيقة |
نوع |
أقصى حد |
(IT)) |
متوسط تيار الحالة النشطة |
180°نصف موجة الصين 50 هرتز
تبريد جانب واحد، THS=55 ℃
|
125
|
|
|
1000 |
أ |
IT ((RMS) |
تيار الحالة RMS |
|
|
1570 |
أ |
Idrm Irrm |
تيار الذروة المتكرر |
عند VDRM عند VRRM |
125 |
|
|
55 |
م.أ. |
ITSM |
تيار الحالة النشطة المفاجئ |
VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر |
125 |
|
|
26.0 |
kA |
I2t |
I2t لتنسيق الفيوز |
125 |
|
|
3380 |
103أ 2س |
VTO |
الجهد الحدودي |
|
125
|
|
|
0.81 |
V |
rT |
مقاومة ميل الحالة النشطة |
|
|
0.21 |
mΩ |
VTM |
جهد الذروة في الحالة النشطة |
ITM=3000A |
25 |
|
|
2.05 |
V |
dv/dt |
معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي |
مصدر البوابة 1.5A
tr ≤ 0.5μs متكرر
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
إيه جي تي |
تيار تحفيز البوابة |
VA= 12V، IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
م.أ. |
Vgt |
جهد تحفيز البوابة |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
تيار الاحتفاظ |
10 |
|
200 |
م.أ. |
إيل |
تيار التثبيت |
|
|
1000 |
م.أ. |
VGD |
جهد البوابة غير المحفز |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة |
سائل من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.048 |
℃/W |
Rth(c-h) |
مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد |
سائل من جانب واحد لكل شريحة |
|
|
|
0.018 |
℃/W |
فيزو |
فولتاج العزل |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
فم
|
عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
ن·م |
عزم الدوران التثبيت ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
ن·م |
تيفي |
درجة حرارة الوصلة |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
درجة حرارة التخزين |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
و |
الوزن |
|
|
|
3230 |
|
ج |
المخطط |
411F3 |
EN
