H50KPU، ثايرستور التحكم في الطور

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj(°C )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180° نصف موجة الصين 50 هرتز

الجانب المزدوج مبرد، TC=70 。ج

125

600

أ

VDRM VRRM

جهد الذروة المتكرر في حالة الإيقاف جهد الذروة العكسي المتكرر

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

@ VDRM @ VRRM

125

200

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

480

A2s*103

VTO

الجهد الحدودي

125

1.04

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

2.33

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=1000A، F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67% VDRM إلى 2000A،

نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM = 2.0A

125

100

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM=2000A، tp=4000µs، di/dt=-5A/µs، VR=100V

125

2500

ميكروسانتيرول

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

40

300

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

25

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 1800 سين، جانب مزدوج تبرد قوة التشنج 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.005

。C /W

فم

قوة التركيب

19

24

26

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

℃

و

الوزن

560

g

المخطط

KT50dT