MTx1000 MFx1000 MT1000، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالماء

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

2000 فولت

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-20-411F3

2200 فولت

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-22-411F3

2500 فولت

MT3 إدارة المعلومات

MFx1000-25-411F3

2500 فولت

MT3المنطقة

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃)

القيمة

الوحدة

دقيقة

نوع

أقصى حد

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180。نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، THS=55 ℃

125

1000

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

1570

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

50

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر

125

18.0

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

1620

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.85

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.24

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=3000A

25

2.20

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤ 0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

سائل من جانب واحد لكل شريحة

0.048

。C/W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

سائل من جانب واحد لكل شريحة

0.024

。C/W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12

16

ن·م

عزم الدوران التثبيت ((M8)

10

12

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

3230

ج

المخطط

411F3