H100KPU، ثايرستور التحكم في الطور

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj(°C )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180。نصف موجة جيبية 50Hz تبريد مزدوج الجوانب

TC=70 。ج

115

2000

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM tp= 10ms عند VRRM tp= 10ms

115

600

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

115

35

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

6125

103A2s

VTO

الجهد الحدودي

115

1.32

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.52

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM= 1500A، F=90kN

25

2.00

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM=67%VDRM،

نبضة البوابة tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

قصر

رسوم الاسترداد

ITM=2000A، tp=4000μs، di/dt=-5A/μs، VR=50V

115

5000

ميكروسانتيرول

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

40

300

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

V

IH

تيار الاحتفاظ

25

200

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

قوة التثبيت المبردة من الجانبين 90 كيلو نيوتن

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.0015

فم

قوة التركيب

81

90

108

كيلو نيوتن

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

115

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

℃

و

الوزن

2500

g

المخطط

KT100dT