MK(H)x200 MK200،موديولات ثريستور إيقاف سريع،تبريد هوائي

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

600 فولت

MKx200-06-413F3D

MHx200-06-413F3D

800 فولت

MKx200-08-413F3D

MHx200-08-413F3D

1000 فولت

MKx200-10-413F3D

MHx200-10-413F3D

1200 فولت

MKx200-12-413F3D

MHx200-12-413F3D

1400V

MKx200-14-413F3D

MHx200-14-413F3D

1600V

MKx200-16-413F3D

MHx200-16-413F3D

1800V

MKx200-18-413F3D

MHx200-18-413F3D

1800V

MK200-18-413F3DG

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

أنا _T(AV)

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة جيبية 50Hz تبريد من جانب واحد، Tc=85 ℃

125

200

أ

أنا _T(RMS)

تيار الحالة RMS

314

أ

أنا _DRM أنا _RRM

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

50

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=60%VRRM

125

4.8

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

115

10³أ ²س

V _إلى

الجهد الحدودي

125

1.65

V

ر _ت

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.60

م

V _TM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=600A

25

2.65

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

Tq

زمن إيقاف الدائرة المحولة

ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

أنا _GT

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

30

180

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

2.5

V

IH

تيار الاحتفاظ

20

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

V _{الـ (GD)}

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.100

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.040

℃ /W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M8)

10.0

12.0

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

770

g

المخطط

413F3D