Короткий огляд
Модулі тиристора (неізольований тип) ,MTG200 ,MTY200 ,вироблений TECHSEM.
|
VRRM,VDRM |
Тип і контур |
|
|
800V
1000V
1200В
1400V
1600V
1800V
|
MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4 |
MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4 |
|
MTx позначає будь-який тип MTG, MTY
MFx позначає будь-який тип MFG, MFY
|
Особливості ：
-
Неізольований. Монтаж база як анодний або кстодовий термінал
-
Технологія контактного тиску з Підвищене циклічне навантаження здатність
-
Низьке напруження в режимі дії d шнур
Типові застосування ：
- Джерело живлення для зварювання
- Різні джерела постійного струму
- Постачання ПВМ для інверта
|
Символ
|
Характеристика
|
Умови випробування
|
Tj( ℃ ) |
Значення |
Одиниця
|
Мін |
Тип |
Макс |
IT(AV) |
Середній ток у стані дії |
180° півсинусоїда 50Гц
Один бік охолоджений, TC=90 ℃
|
125
|
|
|
200 |
A |
IT ((RMS) |
RMS струм в стані включення |
|
|
314 |
A |
Іррррр |
Повторювальний піковий струм |
на VDRM на VRRM |
125 |
|
|
20 |
mA |
ITSM |
Поверхний струм на стані |
VR=60%VRRM, t=10ms півсинусу |
125 |
|
|
5.2 |
кА |
I2t |
I2t для координації запобіжників |
125 |
|
|
135 |
103A 2с |
ВТО |
Напруга порогу |
|
125
|
|
|
0.80 |
В |
кімнатна температура |
Стійкість нахилу в стані |
|
|
1.15 |
mΩ |
VTM |
Пиковое напруження в стані дії |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.62 |
В |
dv/dt |
Критична швидкість підвищення напруги в стані відключення |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Критична швидкість зростання струму в стані включення |
Джерело затвору 1.5A
tr ≤0.5μs Повторювальний
|
125 |
|
|
100 |
A/μs |
IGT |
Появу потоку заряду шлюзу |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
150 |
mA |
Vgt |
Напруження запуска шлюзу |
0.8 |
|
2.5 |
В |
IH |
Застосовуючий струм |
10 |
|
180 |
mA |
ІЛ |
Замкнення струму |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Напруження шлюзу без запуска |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
В |
Rth(j-c) |
Тепловий опір з'єднання до корпусу |
При 180 。sine, Один бік охолоджений на чип |
|
|
|
0.13 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Теплова опір корпусу до радіатора |
При 180 ° sine, Один бік охолоджений на чип |
|
|
|
0.10 |
℃ /W |
|
ЗМ
|
Крутний момент з'єднання терміналів (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
Крутний момент монтажу (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
Н·м |
TVj |
Температура перетину |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
ТСТГ |
Температура зберігання |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Вт |
Вага |
|
|
|
280 |
|
g |
Контур |
213F4 |
EN
