GD75PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 1700В 75А.

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
можливість короткого заклику 10 мкм
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підкладка з використанням технології DBC

Типові застосування

Інвертори для моторного приводу
Сервоприводний підсилювач змінного та постійного струму
Джерело живлення без перерв

Абсолютно Максимальний Рейтинги Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Інвертор IGBT

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	1700	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я C	Струм колектора @ T C =25 o C @ T C =100 o C	139 75	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t p =1 мс	150	A
P Д	Максимальна потужність розсіювання @ T vj =175 o C	559	W

Інвертор диодів

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга вік	1700	В
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	75	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t p =1 мс	150	A

Діод-прямувач

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга вік	2000	В
Я O	Середній вихідний струм 5 0Гц/60Гц, синусоїда	75	A
Я ФСМ	Імпульсний прямий струм t p =10мс @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C	1440 1206	A
Я 2т	Я 2t-значення,t p =10мс @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C	10368 7272	A 2с

Модуль

Символ	Опис	Значення	Одиниця
Т vjmax	Максимальна температура сполучень (інвертор) Максимальна температура сполучення (прямувач)	175 150	o C
Т vjop	Теплота роботи з'єднання	-40 до +150	o C
Т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	o C
В Iso	Напруга ізоляції RMS,f=50Гц,t =1min	4000	В

IGBT -інвертор Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В CE (Сі)	Збирач до випускача Насичення напруги	Я C =75А,В ГЕ =15В, Т vj =25 o C		1.85	2.20	В
		Я C =75А,В ГЕ =15В, Т vj =125 o C		2.25
		Я C =75А,В ГЕ =15В, Т vj =150 o C		2.35
В ГЕ (tH )	Порог шлюзового випромінювача Напруга	Я C =3.0 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	В
Я CES	Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче	В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т vj =25 o C			5.0	mA
Я ГЕС	Витік шлюзового емітера Текуче	В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т vj =25 o C			400	нА
R Гінт	Внутрішній опір воріт			8.5		о
C ies	Вхідна емкості	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		9.03		нФ
C res	Обратний перевод Кваліфікація	В СЕ =25V, f=1MHz, В ГЕ =0V		0.22		нФ
Q G	Зарахування за ворота	В ГЕ =-15 …+15В		0.71		мК
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =25 o C		236		n
т r	Час підйому			42		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			356		n
т ф	Час осені			363		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			17.3		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			11.7		mJ
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =125 o C		252		n
т r	Час підйому			48		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			420		n
т ф	Час осені			485		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			27.1		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			16.6		mJ
т д (увімкнено )	Час затримки включення	В CC = 900 В,I C =75А, R G =6.8Ω,В ГЕ =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =150 o C		275		n
т r	Час підйому			50		n
т d(off)	Вимкнення Час затримки			432		n
т ф	Час осені			524		n
E увімкнено	Вмикнення Перемикання Потерпіла			27.9		mJ
E зВІЛЕНО	Вимкнення Потерпіла			17.7		mJ
Я SC	Дані SC	т P ≤10μs, В ГЕ =15В, Т vj =150 o C ,В CC =1000V , В CEM ≤ 1700В		300		A

Диод -інвертор Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =2 5o C		1.80	2.25	В
		Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =12 5o C		1.90
		Я Ф =75А,В ГЕ =0V,T vj =15 0o C		1.95
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1290A/μs,V ГЕ =-15В Л С =46 nH ,Т vj =25 o C		10.3		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			84		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			7.44		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1100A/μs,V ГЕ =- 15В Л С =46 nH ,Т vj =125 o C		20.5		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			87		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			16.1		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R = 900 В,I Ф =75А, -di/dt=1060A/μs,V ГЕ =-15В Л С =46 nH ,Т vj =150 o C		22.5		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			97		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			19.2		mJ

Диод -випрямляч Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я C =75А, Т vj =150 o C		0.95		В
Я R	Зворотний струм	Т vj =150 o C ,В R =2000V			3.0	mA

НТК Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
∆R/R	Відхилення of R 100	Т C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики Т C =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
R thJC	З'єднання -до -ПРИКЛАД (наIGBT -інвертор ) З'єднання-до-Корпусу (на ДІОД-інвертор ер) З'єднання сполучення з корпусом (на діод-прямувач) ер)			0.268 0.481 0.289	К/В
R thCH	ПРИКЛАД -до -Радіатор (наIGBT -інвертор )Корпус до радиатора (на діод-інвертор) р) Корпус-до-радіатора (на діод- прямівник) Категорія до теплового раковини (на Модуль)		0.106 0.190 0.114 0.009		К/В
М	Монометричний момент; Шруб:M5	3.0		6.0	Н.М
G	Вага of Модуль		300		g