YMIBH250-33, Модуль IGBT, Половинний міст IGBT, CRRC

Символ

Параметр

Умови випробування

Значення

Одиниця

ВСЕ

Напруження колектора-еміттера

VGE = 0V, TC = 25 °C

3300

В

VGES

Напруження шлюзового випромінювача

TC= 25 °C

± 20

В

IC

Ток колектора-еміттера

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Піковий струм колектора

tp=1 мс

500

A

Pmax

Максимальна розсіювання потужності транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

кВт

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Висоль

Ізоляційне напруження - на модуль

( Загальні термінали до основи), AC RMS,1 хв, 50Гц, TC= 25 °C

6

кВ

QPD

Частковий розряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

пК

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

ICES

Ограничений струм колектора

VGE = 0В,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0В, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Течія витоку через шлюзи

VGE = ±20В, VCE = 0В

1

μA

VGE (TH)

Порожнє напруження шлюзу

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

В

VCE (присутний)

Насичення колектора-емітера напруга

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

В

IF

Диодний поток вперед

DC

250

A

МРПМ

Пикова провідна струма диоду

tP = 1 мс

500

A

VF(*1)

Диодний напрям вперед

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

В

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

В

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

В

Isc

Коротке замикання струму

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Ограничений струм колектора

VGE = 0В,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0В, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Течія витоку через шлюзи

VGE = ±20В, VCE = 0В

1

μA

VGE (TH)

Порожнє напруження шлюзу

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

В

VCE (присутний)

Насичення колектора-емітера

напруга

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

В

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

В

IF

Диодний поток вперед

DC

250

A

МРПМ

Пикова провідна струма диоду

tP = 1 мс

500

A

VF(*1)

Диодний напрям вперед

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

В

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

В

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

В

Isc

Коротке замикання струму

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

т d(off)

Час затримки вимикання

Я C =250A,

В СЕ = 1800V, В ГЕ = ± 15 В, R G(OFF) = 9.0Ω , C ГЕ = 56nF,

Л С = 150nH,

Т vj = 25 °C

1480

n

Т vj = 125 °C

1550

Т vj = 150 °C

1570

т ф

Час осені

Т vj = 25 °C

1280

n

Т vj = 125 °C

1920

Т vj = 150 °C

2120

Е ЗВІЛЕНО

Втрати енергії при вимкненні

Т vj = 25 °C

300

mJ

Т vj = 125 °C

380

Т vj = 150 °C

400

т d(on)

Час затримки включення

Я C =250A,

В СЕ = 1800V, В ГЕ = ± 15 В, R G ((ON) = 6.0Ω , C ГЕ = 56nF,

Л С = 150nH,

Т vj = 25 °C

640

n

Т vj = 125 °C

650

Т vj = 150 °C

650

т r

Час підйому

Т vj = 25 °C

220

n

Т vj = 125 °C

235

Т vj = 150 °C

238

Е Увімкнено

Енергія вмикання потерпіла

Т vj = 25 °C

395

mJ

Т vj = 125 °C

510

Т vj = 150 °C

565

Q рр

Диод реверсивний

заряд відновлення

Я Ф =250A,

В СЕ = 1800V,

- Д я Ф /dt = 1200A/us, (Т vj = 125 °C).

Т vj = 25 °C

190

мК

Т vj = 125 °C

295

Т vj = 150 °C

335

Я рр

Диод реверсивний

отримання потоку

Т vj = 25 °C

185

A

Т vj = 125 °C

210

Т vj = 150 °C

216

Е рекомендації

Диод реверсивний

відновлення енергії

Т vj = 25 °C

223

mJ

Т vj = 125 °C

360

Т vj = 150 °C

410