GD1000HTA75P6HT

Вступ

Короткий огляд

IGBT модуль ,виготовлено компанією STARPOWER . 750В 1000A ,P6 .

Особливості

Технологія IGBT з низьким VCE (sat)
Малі втрати від переходу
можливість короткого заклику 6μs
VCE (sat) з позитивним коефіцієнтом температури
Максимальна температура сп'ювання 175 ℃
Низька індуктивність корпусу
Швидке і м'яке відкодування назад антипараллельне FWD
Ізольована медна підложка з використанням технології Si3N4 AMB

Типові застосування

Автомобільний застосунок
Гібридний та електричний транспортний засіб
Інвертори для моторного приводу

Абсолютно Максимальний Рейтинги Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

IGBT

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В CES	Напруження колектора-еміттера	750	В
В ГЕС	Напруження шлюзового випромінювача	±20	В
Я КН	Застосоване колектор Cu rrent	1000	A
Я C	Струм колектора @ T Ф =125 o C	450	A
Я CM	Імпульсний колекторний струм t p =1 мс	2000	A
P Д	Максимальна розсіювання потужності ація @ Т Ф =75 o C Т vj =175 o C	1282	W

Диод

Символ	Опис	Значення	Одиниця
В РРМ	Повторювальна пікова зворотна напруга вік	750	В
Я ФН	Застосоване колектор Cu rrent	1000	A
Я Ф	Діод Безперервний прямий Cu rrent	450	A
Я ЗМ	Максимальний прямий струм діода t p =1 мс	2000	A

Модуль

Символ	Опис	Значення	Одиниця
Т vjmax	Максимальна температура перетину	175	o C
Т vjop	Тепловина робочого перетину постійна Протягом 10 секунд у межах періоду 30с, виникає максимум 3000 разів протягом терміну служби	-40 до +150 +150 до +175	o C
Т СТГ	Діапазон температур зберігання	-40 до +125	o C
В Iso	Ізоляційний напруга RMS,f=50Hz,t=1 мін	2500	В
д Повзучість	Термінал до теплового раковини Термінал до терміналу	9.0 9.0	мм
д Прозорий	Термінал до теплового раковини Термінал до терміналу	4.5 4.5	мм

IGBT Характеристики Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ

Параметр

Умови випробування

Хв.

Тип.

Макс.

Одиниця

В CE (Сі)

Збирач до випускача Насичення напруги

Я C = 450A,V ГЕ =15В, Т vj =25 o C

1.10

1.35

В

Я C = 450A,V ГЕ =15В, Т vj =150 o C

1.10

Я C = 450A,V ГЕ =15В, Т vj =175 o C

1.10

Я C =1000A,V ГЕ =15В, Т vj =25 o C

1.40

Я C =1000A,V ГЕ =15В, Т vj =175 o C

1.60

В ГЕ (tH )

Порог шлюзового випромінювача Напруга

Я C =12.9 mA ,В СЕ = В ГЕ , Т vj =25 o C

5.5

6.4

7.0

В

Я CES

Колекціонер Вирізано -ЗВІЛЕНО Текуче

В СЕ = В CES ,В ГЕ =0V, Т vj =25 o C

1.0

mA

Я ГЕС

Витік шлюзового емітера Текуче

В ГЕ = В ГЕС ,В СЕ =0V, Т vj =25 o C

400

нА

R Гінт

Внутрішній опір воріт

1.2

о

C ies

Вхідна емкості

В СЕ =50В, f=100kHz, В ГЕ =0V

66.7

нФ

C oes

Вихідна ємність

1.50

нФ

C res

Обратний перевод Кваліфікація

0.35

нФ

Q G

Зарахування за ворота

В СЕ =400V, I C =450A, В ГЕ =-15…+15V

4.74

мК

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC =400V, I C =450A,

R Гон =1.2Ω, R Гоф =1,0Ω, В ГЕ =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =25 o C

244

n

т r

Час підйому

61

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

557

n

т ф

Час осені

133

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

11.0

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

22.8

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC =400V, I C =450A,

R Гон =1.2Ω, R Гоф =1,0Ω, В ГЕ =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =150 o C

260

n

т r

Час підйому

68

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

636

n

т ф

Час осені

226

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

16.9

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

32.2

mJ

т д (увімкнено )

Час затримки включення

В CC =400V, I C =450A,

R Гон =1.2Ω, R Гоф =1,0Ω, В ГЕ =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =175 o C

264

n

т r

Час підйому

70

n

т d(off)

Вимкнення Час затримки

673

n

т ф

Час осені

239

n

E увімкнено

Вмикнення Перемикання Потерпіла

19.2

mJ

E зВІЛЕНО

Вимкнення Потерпіла

33.6

mJ

Я SC

Дані SC

т P ≤6μs, В ГЕ =15В,

Т vj =25 o C,V CC =400В, В CEM ≤750В

4900

A

т P ≤3μс, В ГЕ =15В,

Т vj =175 o C,V CC =400В, В CEM ≤750В

3800

Диод Характеристики Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
В Ф	Диод наперед Напруга	Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T vj =2 5o C		1.40	1.65	В
		Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T vj =150 o C		1.35
		Я Ф = 450A,V ГЕ =0V,T vj =175 o C		1.30
		Я Ф =1000A,V ГЕ =0V,T vj =25 o C		1.80
		Я Ф =1000A,V ГЕ =0V,T vj =175 o C		1.80
Q r	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=7809A/μс,V ГЕ =-8В Л С = 24 nH ,Т vj =25 o C		18.5		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			303		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			3.72		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=6940A/μс,V ГЕ =-8В Л С = 24 nH ,Т vj =150 o C		36.1		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			376		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			8.09		mJ
Q r	Відшкодований заряд	В R =400V, I Ф =450A, -di/dt=6748A/μс,V ГЕ =-8В Л С = 24 nH ,Т vj =175 o C		40.1		мК
Я RM	Вертикальний пік Отримання потоку			383		A
E рекомендації	Обертаний відновлення Енергія			9.01		mJ

НТК Характеристики Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Умови випробування	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
R 25	Намінальна опірність			5.0		kΩ
∆R/R	Відхилення of R 100	Т C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Потужність Витрати				20.0	мВт
B 25/50	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/50 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/80 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	Значення B	R 2=R 25екп [B 25/100 (1/T) 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики Т Ф =25 o C якщо тільки інакше зазначено

Символ	Параметр	Хв.	Тип.	Макс.	Одиниця
Л СЕ	Індуктивність відхилення		8		nH
R CC+EE	Опір виводу модуля, термінал до чіпа		0.75		mΩ
p	Максимальний тиск в холодильному крузі ковт Т підставка <40 o C Т підставка >40 o C (відносний тиск)			2.5 2.0	бар
R тДФ	З'єднання -до -Охолодження Плодовита (наIGBT )З'єднання до охолоджуючої рідини (по D йод) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мін ,Т Ф =75 o C		0.068 0.105	0.078 0.120	К/В
М	Термінальний момент підключення, Шруб M5 Монометричний момент; Шруб M4	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
G	Вага of Модуль		750		g