іГБТ високої потужності
Високовольтний транзистор IGBT (біполярний транзистор з ізольованою затворною структурою) є проривом в електроніці потужності, поєднуючи найкращі риси технологій MOSFET і біполярних транзисторів. Цей складний напівпровідниковий пристрій чудово справляється з керуванням застосуваннями з високою напругою й струмом, що робить його незамінним у сучасній електроніці потужності. Працюючи як перемикач, керований напругою, він демонструє надзвичайну ефективність при обробці потужностей, що варіюються від кількох кіловат до мегават. Конструкція пристрою включає передову силіцієву технологію з оптимізованим керуванням затвором, що забезпечує швидкі швидкості перемикання з одночасно низькими втратами провідності. Транзистори IGBT мають унікальну багатошарову конструкцію, що включає ізольовану затворну структуру, яка підвищує їхню здатність витримувати напругу й продуктивність перемикання. Ці пристрої зазвичай працюють на частотах від 1 кГц до 20 кГц, забезпечуючи ідеальний баланс між швидкістю перемикання й можливостями керування потужністю. Інтеграція сучасних рішень теплового управління забезпечує надійну роботу в складних умовах, а вбудовані функції захисту захищають від перевищення струму й короткого замикання. У промислових застосуваннях високовольтні IGBT є основою для перетворювачів частоти, систем відновлюваної енергії та обладнання для перетворення електроенергії, забезпечуючи стабільну продуктивність і надійність.