TG1800HF17H1-S500, IGBT Modülü, Yarı Köprü IGBT, CRRC

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,CRRC tarafından üretilen Yarı Köprü IGBT. 1700V 1800A.

Ana Parametreler

V CES	1700 V
V CE (sat) Tipik.	1.7 V
*Ben* C Max.	1800 A
*Ben* C(RM) Max.	3600 A

Özellikler

Cu Taban plakası
Geliştirilmiş Al2O3 Alt Tabakalar
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Yüksek Termal Döngü Kapasitesi
Düşük VCE (sat) Cihazı

Tipik Uygulamalar

Motor Sürücüleri
Yüksek Güçlü Değiştiriciler
Yüksek Güvenilirlik Ters Çeviriciler
Rüzgar Türbinleri

Mutlak Maksimum Rati ngs

符号 Sembolik	参数名称 Parametre	测试条件 Test koşulları	数值 Değer	birim Birim
V CES	集电极 -emisyon Elektrodu Voltajı Toplayıcı-Sütücü Voltajı	V GE = 0V, T C = 25 °C	1700	V
V GES	kapı -emisyon Elektrodu Voltajı Kapı-Emitör Voltajı	T C = 25 °C	± 20	V
Ben C	集电极电流 (Küçük elektrik) Kollektör-emiter akımı	T C = 85 °C, T vj max = 175°C	1800	A
Ben C (((PK)	集电极峰值电流 Zirve kollektör akımı	t P =1ms	3600	A
P max	transistör Bölümünde Maksimum Kaybı Maks. transistör güç dağılımı	T vj = 175°C, T C = 25 °C	9.38	kw
Ben 2t	diyot Ben 2t 值 Diyot Ben 2t	V R =0V, t P = 10ms, T vj = 175 °C	551	kA 2s
V i̇zol	绝缘 elektrik basıncı (模块 ) İzolasyon voltaj - her modül	tüm terminalleri kısa devre yapın, terminal ile temel plaka arasında voltaj uygulayın ( Bağlı terminal s için taban plaka), AC RMS,1 dakika, 50Hz, T C = 25 °C	4000	V

Termal & Mekanik Veriler

参数 Sembolik			açıklama Açıklama				值 Değer		birim Birim
sürünme mesafesi Sızma mesafesi			uçak -isı dissipation cihazı Terminal to isı çubuğu				36.0		mm
			uçak -uçak Terminal ile Terminal				28.0		mm
i̇zolasyon Aralığı Tasfiye			uçak -isı dissipation cihazı Terminal to isı çubuğu				21.0		mm
			uçak -uçak Terminal ile Terminal				19.0		mm
göreceli elektrostatik iz bırakma indeksi CTI (Comparative Tracking Index)							>400
	符号 Sembolik	参数名称 Parametre		测试条件 Test koşulları	最小值 en küçük değer Min.	tipik değerler Tipik.		maksimum değer Max.		birim Birim
	R th(j-c) IGBT	IGBT kasa termal direnci Termal direnç – IGBT						16		K / kw
	R th(j-c) Diyot	diyot kesit kasa termal direnci Termal direnç – Diyot						33		K / kw
	R th ((c-h) IGBT	temas termal direnci (IGBT) Termal direnç – kasa soğutma kutusuna (IGBT)		montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm, ile montaj gres 1W/m·K		14				K / kw
	R th ((c-h) Diyot	temas termal direnci (Diyot) Termal direnç – kasa soğutma kutusuna (Diyot)		montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm, ile montaj gres 1W/m·K		17				K / kw
	T vjop	çalışma soğukluğu İşlem birimi sıcaklık		IGBT çip ( IGBT )	-40			150		°C
				diyat cevheri ( Diode )	-40			150		°C
	T sTG	depolama sıcaklığı Depolama sıcaklık aralığı			-40			150		°C
	M	montaj gücü Vida torku		montaj sıkıştırma için – M5 Montaj – M5	3			6		Nm
				devre bağlantısı için – M4 Elektrikli bağlantılar – M4	1.8			2.1		Nm
				devre bağlantısı için – M8 Elektrikli bağlantılar – M8	8			10		Nm

Termal & Mekanik Veriler

符号 Sembolik	参数名称 Parametre	测试条件 Test koşulları	最小值 en küçük değer Min.	tipik değerler Tipik.	maksimum değer Max.	birim Birim
R th(j-c) IGBT	IGBT kasa termal direnci Termal direnç – IGBT				16	K / kw
R th(j-c) Diyot	diyot kesit kasa termal direnci Termal direnç – Diyot				33	K / kw
R th ((c-h) IGBT	temas termal direnci (IGBT) Termal direnç – kasa soğutma kutusuna (IGBT)	montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm, ile montaj gres 1W/m·K		14		K / kw
R th ((c-h) Diyot	temas termal direnci (Diyot) Termal direnç – kasa soğutma kutusuna (Diyot)	montaj gücü 5Nm, termal macun 1W/m·K Montaj torku 5Nm, ile montaj gres 1W/m·K		17		K / kw
T vjop	çalışma soğukluğu İşlem birimi sıcaklık	IGBT çip ( IGBT )	-40		150	°C
T vjop	çalışma soğukluğu İşlem birimi sıcaklık	diyat cevheri ( Diode )	-40		150	°C
T sTG	depolama sıcaklığı Depolama sıcaklık aralığı		-40		150	°C
M	montaj gücü Vida torku	montaj sıkıştırma için – M5 Montaj – M5	3		6	Nm
		devre bağlantısı için – M4 Elektrikli bağlantılar – M4	1.8		2.1	Nm
		devre bağlantısı için – M8 Elektrikli bağlantılar – M8	8		10	Nm

NTC-Dol mistor Veriler

符号 Sembolik	参数名称 Parametre	测试条件 Test koşulları	最小值 en küçük değer Min.	tipik değerler Tipik.	maksimum değer Max.	birim Birim
R 25	nominal direnç değeri Derecelendirilmiş direnç	T C = 25 °C		5		kΩ
△ R /R	R100 sapma Sapma R100	T C = 100 °C, R 100=493Ω	-5		5	%
P 25	dissipasyon gücü Güç Dissipasyonu	T C = 25 °C			20	mW
B 25/50	B- 值 B değeri	R 2 = R 25exp [B 25/50 1/T 2 - 1/(298.15 K))]		3375		K
B 25/80	B- 值 B değeri	R 2 = R 25exp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298.15 K))]		3411		K
B 25/100	B- 值 B değeri	R 2 = R 25exp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298.15 K))]		3433		K

Elektriksel Özellikler

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

Ben CES

集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı)

Kollektör kesme akımı

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

Ben GES

极漏电流 (Hızlı akış)

Kapı sızıntı akımı

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

kapı -emiter eşik voltajı Kapı eşik voltajı

Ben C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -emiter doygunluk voltajı

Kollektör-emiter doygunluğu

voltaj

V GE =15V, Ben C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, Ben C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, Ben C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

Ben F

diyot doğru akım akışı Diyot ileri akımı

DC

1800

A

Ben FRM

diyot ileri tekrar tepe akımı Diyot ileri zirve akım nt

t P = 1ms

3600

A

V F (*1)

diyot ileri voltajı

Diyot ileri voltajı

Ben F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Ben F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

Ben F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

Ben SC

kısa devre akımı

Kısa devre akım

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15V, t p ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

giriş elektrik kapasitesi

Girdi Kapasitesi

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q g

极电荷

Geçit Ücreti

±15V

23.6

μC

C res

ters yönlü aktarım kapasitesi

Ters transfer kapasitansı

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

modül dalga indüktansı

Modül dalga indukta - Ne?

8.4

nH

R CC + EE ’

modül kablo direnci, uzantı -çip M odul kablo direniş, terminal-çip

her anahtarlamada

0.20

mΩ

R Gint

i̇ç gate direnci

İç Kapı direnç

1

ω

Elektriksel Özellikler

符号 Sembolik	参数名称 Parametre	测试条件 Test koşulları		最小值 en küçük değer Min.	tipik değerler Tipik.	maksimum değer Max.	birim Birim
t d (((off)	kapatma gecikmesi Kapatma gecikme süresi	Ben C =1800A, V CE = 900V, V GE = ± 15V, R G(OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH, d v \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).	T vj = 25 °C		1000		ns
			T vj = 150 °C		1200
			T vj = 175 °C		1250
t f	düşen zaman Sonbahar zamanı		T vj = 25 °C		245		ns
			T vj = 150 °C		420
			T vj = 175 °C		485
E OFF	kapatma kaybı Kapatma enerji kaybı		T vj = 25 °C		425		mJ
			T vj = 150 °C		600
			T vj = 175 °C		615
t d(on)	开通延迟时间 Açma Gecikme Zamanı	Ben C =1800A, V CE = 900V, V GE = ± 15V, R G(ON) = 0.5Ω, L S = 25nH, d ben \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).	T vj = 25 °C		985		ns
			T vj = 150 °C		1065
			T vj = 175 °C		1070
t r	升时间 Kalkma zamanı.		T vj = 25 °C		135		ns
			T vj = 150 °C		205
			T vj = 175 °C		210
E ON	açma kaybı Açılma enerjisi kayıp		T vj = 25 °C		405		mJ
			T vj = 150 °C		790
			T vj = 175 °C		800
Q rR	diyot ters iyileşme yükü Diyot ters geri Kazanım Yükü	Ben F =1800A, V CE = 900V, - d ben F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).	T vj = 25 °C		420		μC
			T vj = 150 °C		695
			T vj = 175 °C		710
Ben rR	diyot ters iyileşme akımı Diyot ters geri kazanım akımı		T vj = 25 °C		1330		A
			T vj = 150 °C		1120
			T vj = 175 °C		1100
E - Bilmiyorum.	diyot ters iyileşme kaybı Diyot ters geri kazanım enerjisi		T vj = 25 °C		265		mJ
			T vj = 150 °C		400
			T vj = 175 °C		420