TIM500GDM33-PSA011 Yeni Orijinal CRRC IGBT Güç Modülü Ayrık Semiconductor Transistor Çopları Tersine Çevirmeler/Çeviriciler Sürücüler

Şirket Profili

Beijing World E To Technology Co., Ltd., ithal ve ihracat niteliklerine sahip bir teknoloji şirketi, yenilik ve mükemmellik ilkeleri üzerine kurulmuştur, semi-havücutlu alternatif çözümler ve teknoloji alanında önde yer alır. Semi-havücutlu ürün tasarımı, sözleşme kontrı aktarım satırları mühendisliği ve dağıtımında uzmandır. İşbirliği ortaklarının seçimi konusunda katı gerekliliklere sahiptir, yalnızca üst düzey tasarım ve üretim teknolojisi olan teknoloji şirketleri ve üreticilerle işbirliği yapar. Fabrika otomatik aktarım hatlarının optimizasyonunun özel yapılandırılması, sözleşmeli üretime ait başka bir önemli parçasıdır.

Bizim ürünler

1	IGBT modülü ve Sürücü
2	IGCT modülü ve Sürücü
3	Inverter çekirdek kartı
4	Diyot modülü
5	Tırıstan modülü
6	Akım sensörü
7	Kondansatör
8	Direnç
9	Katı hal relay
10	Sanayi robotları ve Temel bileşenler
11	Sivil İnsansız Uçaklar ve Temel Bileşenler

Ürün Açıklaması

Özellikler

(1) AISiC Taban Plakası yüksek güç döngüsü yeteneği için
(2) AIN Alt Tabakalar düşük termal direnci için
(3) Yüksek Isı Döngüsü Kapasitesi
(4) Yüksek akım yoğunluğu

(5) 10μs kısa devre dayanımı
(6) Düşük VCEsat

Tipik Uygulamalar

(1) Traction drives
(2) Motor Denetleyiciler
(3) Çoplayıcılar
(4) Orta voltajlı inverterler/dönüştürücüler

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Yüksek gerilim IGBT modülleri

Ana Parametreler

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	Tipik.	2.4	V
Ben _C	Max.	500	A
Ben _CM	ICRM	1000	A

Kesin Maksimum Değerler

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V _CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	3300	V
V _GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben _C	Toplayıcı Akımı @ T _C=100℃	500	A
Ben _CM	Puls kollektör akımı, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _tot	Toplam güç kaybı, TC=25°C, anahtar başına (IGBT)	5200	W
Ben ²t	Diyot I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²sahip
V _i̇zol	1 dakikada, f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT Kısa Devre SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Ben _F	DC İleri Akım	500	A
Ben _FRM	Zirve ileri akım ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Kısmi boşalma,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Montaj torkları	M _SahipMontaj – M6	5	Nm
		M _T1Elektrik bağlantıları – M4		2
		M _T2Elektrik bağlantıları – M8		8

Diyot Karakteristik Değerleri

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	tip	Max.	Değer		Birim
V _F	İleri Voltaj IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V		℃
Ben _rR	Ters İyileşme Akımı Ben _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rR	Geri Alınan Ücret Ben _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _{- Bilmiyorum.}	Geri dönüştürülmüş enerji Ben _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT özellik değerleri

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
_{V _CEsat}	Toplayıcı-emitter doyuma gerilimi.I _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Ben _GES	Kapı sızıntı akımı	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Kapı-Emitör Sınır Voltajı	Ben _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Ben _CES	Toplayıcı-emitter doygunluk gerilimi.V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Ben _SC	Kısa devre akımı	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Ben _FRM	Diyot tepe ileri akımı	t _P= 1ms		500		A
t _d(on)	Açma Gecikme Zamanı	Tvj = 25 °C		650		ns
				Tvj = 125 °C		630		ns
				Tvj = 150 °C		620		ns
t _{d (((off)}	Kapatma gecikme süresi	Tvj = 25 °C		1720		ns
				Tvj = 125 °C		1860		ns
				Tvj = 150 °C		1920		ns
Ben _SC	Kısa devre akımı	t _psc≤ 10μs, V _GE=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
- Evet.	Girdi Kapasitesi	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Genel Merkezi	Geçit Ücreti	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Ters transfer kapasitansı	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _oN	Açma anahtarlama kaybı enerjisi Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _oFF	Kapatma anahtarlama kaybı enerjisi Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Neden Bizi Seçmelisiniz

1. sadece birinci sınıf teknolojiye sahip Çin imalatçılarından ürün dağıtmaktayız. Bu, ana ölçütümüzdür.
2. İmalatçıların seçimi konusunda katı kriterlerimiz vardır.
3. Müşterilere Çin'den alternatif çözümler sunma kabiliyetimiz bulunmaktadır.
4. Sorumlu bir ekibimiz bulunmaktadır.

Ürün ambalajı