1 |
IGBT modülü ve Sürücü |
2 |
IGCT modülü ve Sürücü |
3 |
FRD modülü |
4 |
Diyot modülü |
5 |
Tırıstan modülü |
6 |
Akım sensörü |
7 |
Kondansatör |
8 |
Direnç |
9 |
Katı hal relay |
10 |
Sanayi robotları ve Temel bileşenler |
11 |
Sivil İnsansız Uçaklar ve Temel Bileşenler |
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
3300 |
V |
|
V CE (sat)
|
Tipik. |
2.5 |
V |
Ben C
|
Max. |
250 |
A |
Ben C(RM)
|
IC(RM) |
500 |
A |
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
3300 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =100℃ |
250 |
A |
Ben C (((PK) |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
500 |
A |
P max
|
Maks. transistör güç dağılımı Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
2600 |
W |
Ben 2t |
Diyot I 2t V R =0V, T P = 10ms, Tvj = 150 °C
|
20 |
kA 2sahip |
V i̇zol
|
İzolasyon voltajı – modül başına ( Taban plaka teminatlı birleşik uzantılar),
AC RMS,1 dk, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
W |
Q PD
|
Kısmi deşarj – modül başına IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS
|
10 |
pC |
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
Sızma mesafesi |
Terminal ile Soğutucu |
33.0 |
mm |
Terminal ile Terminal |
33.0 |
mm |
|
Tasfiye |
Terminal ile Soğutucu |
20.0 |
mm |
Terminal ile Terminal |
20.0 |
mm |
|
CTI (Karşılaştırmalı İzleme İndeksi) |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
>600 |
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Max. |
Değer |
Birim |
|
R th(J-C) IGBT |
Termal direnç – IGBT |
48 |
K / kW |
℃ |
|||
R th(J-C) Diyot |
Termal direnç – Diyot |
80 |
K / kW |
℃ |
|||
R th(C-H) IGBT |
Isı direnci – kasa ile soğutucu (IGBT) |
Montaj torku 5Nm, montaj yağı ile 1W/m·°C |
18 |
K / kW |
℃ |
||
R th(C-H) Diode |
Isı direnci – kasa ile soğutucu (Diyot) |
Montaj torku 5Nm, montaj yağı ile 1W/m·°C |
36 |
K / kW |
V |
||
T vj op
|
Hareket noktası sıcaklığı |
IGBT |
-40 |
150 |
°C |
||
Diyot |
-40 |
150 |
°C |
||||
M |
Vida torku |
Montaj –M6 |
5 |
nm |
|||
Elektriksel bağlantılar – M5 |
4 |
nm |
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Ben CES
|
Kollektör kesme akımı |
V GE = 0V,V CE = V CES
|
1 |
mA |
||
V GE = 0V, V CE = V CES , T C =125 °C |
15 |
mA |
||||
V GE = 0V, V CE = V CES , T C =150 °C |
25 |
mA |
||||
Ben GES
|
Kapı sızıntı akımı |
V GE = ±20V, V CE = 0V |
1 |
μA |
||
V GE (TH)
|
Kapı eşik voltajı |
Ben C = 20mA, V GE = VCE |
5.5 |
6.1 |
7.0 |
V |
VCE (sat)
|
Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi |
VGE =15V, IC = 250A |
||||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C |
||||||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C |
||||||
Ben F
|
Diyot ileri akımı |
DC |
250 |
A |
||
Ben FRM
|
Diyot tepe ileri akımı |
t P = 1ms |
500 |
A |
||
V F
|
Diyot ileri voltajı |
Ben F = 250A, V GE = 0 |
2.10 |
2.40 |
V |
|
Ben F = 250A, V GE = 0, T vj = 125 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
Ben F = 250A, V GE = 0, T vj = 150 °C |
2.25 |
2.25 |
V |
|||
Ben SC
|
Kısa devre akımı |
T vj = 150° C, V CC = 2500V, V GE ≤15V, tp≤10μs, V CE (maks) = V CES – L (*2)×di/dt, IEC 6074 |
900 |
A |
||
- Evet. |
Girdi Kapasitesi |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
27 |
nF |
||
Genel Merkezi |
Geçit Ücreti |
±15 |
2.6 |
V |
||
Cres |
Ters transfer kapasitansı |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
0.9 |
nF |
||
L M
|
Modül endüktansı |
40 |
nH |
|||
R INT
|
Dahili transistör direnci |
0.5 |
mΩ |
Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.