CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Modülü 1700V Ters Çevrimli Birimler Dönüştürücüler Sürücüler Orijinal Yeni Rüzgar Türbinleri Ayrık Semiçiptör Modülleri

Şirket Profili

Beijing World E To Technology Co., Ltd., ithal ve ihracat niteliklerine sahip bir teknoloji şirketi, yenilik ve mükemmellik ilkeleri üzerine kurulmuştur, semi-hafifletici çözümleri ve teknolojisinin önündedir. Semi-hafifletici ürün tasarımı, sözleşmetIMIZE edilmiş üretim hattı optimizasyonunun fabrika otomatik aktarım hatlarının diğer önemli bir parçasıdır.

Bizim ürünler

1	IGBT modülü ve Sürücü
2	IGCT modülü ve Sürücü
3	Inverter çekirdek kartı
4	Diyot modülü
5	Tırıstan modülü
6	Akım sensörü
7	Kondansatör
8	Direnç
9	Enerji depolama sistemi
10	Sanayi robotları ve Temel bileşenler
11	Sivil İnsansız Uçaklar ve Temel Bileşenler

Ürün Açıklaması

Özellikler

(1) AISiC Taban Plakası yüksek güç döngüsü yeteneği için
(2) Cu Taban Plakası
(3) Yüksek Isı Döngüsü Kapasitesi
(4) Yüksek akım yoğunluğu

(5) 10μs kısa devre dayanımı
(6) Düşük VCEsat

Tipik Uygulamalar

(1) Motor Sürücüleri
(2) Yüksek Güçlü Değiştiriciler
(3) Rüzgar Türbinleri
(4) Yüksek Güvenilirlik İnvertörü

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Yarı Köprü IGBT

Ana Parametreler

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	Tipik.	1.85	V
Ben _C	Max.	1000	A
IC(RM)	Max.	2000	A

Mutlak Maksimum Değerler( Tcase = 25°C belirtilen aksi halde )

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V _CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1700	V
V _GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben _C	Toplam Akımı @ Tcase = 90 °C	1000	A
Ben _{C (((PK)}	Zirve toplam akımı ,tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max	Maks. transistör güç kaybı,Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Ben ²t	Diyot I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²sahip
V _i̇zol	(Taban plakaya ortak terminaller), AC RMS, 1 dak, 50Hz	4000	V
Ben _F	Diyot ileri akımı, DC	1000	A
Ben _FRM	Diyot maksimum ileri akım, tp=1ms	2000	A
Montaj torkları	Montaj – M5	6	Nm
	Montaj – M5	6
		Elektrik bağlantıları – M8		10

Elektriksel Özellikler

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

tip

Max.

Değer

Birim

V _F

Diyot ileri voltajı

Ben _F=1000A，V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Ben _F=1000A，V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Ben _F=1000A，V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Ben _FRM

Diyot tepe ileri akımı

t _P= 1ms

2000

A

Ben _F

Diyot ileri akım,

DC

1000

A

Irr

Diyot Ters
geri kazanım akımı

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Diyot Ters
geri Kazanım Yükü

285

μC

315

340

E _{- Bilmiyorum.}

Diyot ters geri yükleme enerjisi

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektriksel Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V _{CE (sat)}	Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi	V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Ben _CES	Kollektör kesme akımı	V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Ben _GES	Kapı sızıntı akımı	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Kapı-Emitör Sınır Voltajı	Ben _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _d(on)	Açma Gecikme Zamanı @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		ns
								1410
								1440
td ((off)	Kapatma gecikme süresi @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		ns
								470
								450
Ben _SC	Kısa devre akımı	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
- Evet.	Girdi Kapasitesi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Ters transfer kapasitansı	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Genel Merkezi	Geçit Ücreti	±15V		11.4		μC
E _oN	Açma enerji kaybı @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _oFF	Kapatma anahtarlama kaybı enerjisi @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Neden Bizi Seçmelisiniz

1. sadece birinci sınıf teknolojiye sahip Çin imalatçılarından ürün dağıtmaktayız. Bu, ana ölçütümüzdür.
2. İmalatçıların seçimi konusunda katı kriterlerimiz vardır.
3. Müşterilere Çin'den alternatif çözümler sunma kabiliyetimiz bulunmaktadır.
4. Sorumlu bir ekibimiz bulunmaktadır.

Ürün ambalajı