CRRC 1700V 2400A Yüksek-Voltage IGBT Modülü TIM2400ESM17-TSA000 Yeni/Orijinal Akıllı Grid Güç Modülü Choppers Inverter Converter

Şirket Profili

Beijing World E To Technology Co., Ltd., ithal ve ihracat niteliklerine sahip bir teknoloji şirketi olarak, yenilik ve mükemmellik prensipleri üzerine kurulmuştur, semi-hafızalı alternatif çözümler ve teknolojinin ön sıralarında yer alır. Semi-hafızalı ürün tasarımı, sözleşmet siparişi ve dağıtım alanlarında uzmandır. İşbirliği ortaklarının seçimi konusunda katı kriterlere sahiptir; yalnızca üst düzey tasarım ve üretim teknolojisi olan teknoloji şirketleri ve üreticilerle işbirliği yapar. Fabrika otomatik aktarım hatlarının optimizasyonunun özel üretime yönelik başka bir önemli parçasıdır. .

Bizim ürünler

1	IGBT modülü ve Sürücü
2	IGCT modülü ve Sürücü
3	Inverter çekirdek kartı
4	Diyot modülü
5	Tırıstan modülü
6	Akım sensörü
7	Kondansatör
8	Direnç
9	Katı hal relay
10	Sanayi robotları ve Temel bileşenler
11	Sivil İnsansız Uçaklar ve Temel Bileşenler

Ürün Açıklaması

Özellikler

(1) AISiC Taban Plakası
(2) AIN Alt Tabakalar
(3) Yüksek Isı Döngüsü Kapasitesi
(4) 10μs Kısa Devre Dayanımı

(5) Düşük Vce(sat) cihazı

(6) Yüksek akım yoğunluğu

Tipik Uygulamalar

(1) Traction drives
(2) Motor Denetleyiciler
(3) Akıllı Şebeke
(4)Yüksek Güvenilirlik Tersine Çeviren

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17（E）

1700V/2400A Bekar Anahtarı IGBT

Ana Parametreler

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V _CES		1700	V
V _{CE (sat)}	Tipik.	1.75	V
Ben _C	Max.	2400	A
Ben _C(RM)	IC(RM)	4800	A

Kesin Maksimum Değerler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Değer	Birim
V _CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Kapı-Emitör Voltajı	T _C= 25 °C	±20	V
Ben _C	Kollektör-emiter akımı	T _C= 75°C	2400	A
Ben _{C (((PK)}	Zirve kollektör akımı	t _P=1ms	4800	A
P _max	Maks. transistör güç dağılımı	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Ben ²t	Diyot I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²sahip
Visol	Ölçekleme gerilimi – modül başına	( Ortak terminaller taban plakasına bağlıdır), AC RMS,1 dakika, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Kısmi Boşalma–modül başına	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS	10	pC

Termal & Mekanik Veriler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Max.	Değer		Birim
R _{th(J-C) IGBT}	Termal direnç – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diyot}	Termal direnç – Diyot			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Isı direnci – kasa ile soğutucu (IGBT)	Montaj torku 5Nm, montaj yağı ile 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Hareket noktası sıcaklığı	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Hareket noktası sıcaklığı			Diyot	-40	150	°C
M	Vida torku	Montaj –M6		5	nm
				Elektriksel bağlantılar –M4		2	nm
				Elektriksel bağlantılar –M8		10	nm

Elektriksel Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
Ben _CES	Kollektör kesme akımı	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Ben _GES	Kapı sızıntı akımı	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Kapı eşik voltajı	Ben _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Ben _F	Diyot ileri akımı	DC		2400		A
Ben _FRM	Diyot tepe ileri akımı	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Diyot ileri voltajı	Ben _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				Ben _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Ben _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Ben _SC	Kısa devre akımı	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
- Evet.	Girdi Kapasitesi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
Genel Merkezi	Geçit Ücreti	±15		19		μC
Cres	Ters transfer kapasitansı	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Modül endüktansı			10		nH
R _INT	Dahili transistör direnci			110		mΩ

T vaka = 25°C belirtilen başka bir şey olmaması durumunda

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min

Tip

Max

Birim

t _{d (((off)}

Kapatma gecikme süresi

Ben _C= 2400A
V _CE= 900V
L _Sahip~ 50nH
V _GE= ±15V
R _G(ON)= 0.5Ω
R _G(OFF)= 0.5Ω

2320

ns

E _OFF

Kapatma enerji kaybı

500

mJ

t _d(on)

Açma Gecikme Zamanı

1050

ns

E _ON

Açma enerji kaybı

410

mJ

Q _rR

Diyot ters geri yükleme yükü

Ben _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Ben _rR

Diyot ters geri yükleme akımı

1000

A

E _{- Bilmiyorum.}

Diyot ters geri yükleme enerjisi

320

mJ

T vaka = 150°C aksi belirtilmediği takdirde