GD75PFX170C6SG,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =100 o C

139

75

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

150

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 o C

559

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

75

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

150

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

2000

V

Ben O

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

75

A

Ben FSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

1440

1206

A

Ben 2t

Ben 2t-değeri,t p =10ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

10368

7272

A 2sahip

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

Ben C =75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

8.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.22

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, L Sahip =46 nH ,T vj =25 o C

236

ns

t r

Kalkma zamanı.

42

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

356

ns

t f

Sonbahar zamanı

363

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

17.3

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.7

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, L Sahip =46 nH ,T vj =125 o C

252

ns

t r

Kalkma zamanı.

48

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

420

ns

t f

Sonbahar zamanı

485

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

27.1

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.6

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE =±15V, L Sahip =46 nH ,T vj =150 o C

275

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

432

ns

t f

Sonbahar zamanı

524

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

27.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

17.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤1700V

300

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L Sahip =46 nH ,T vj =25 o C

10.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

84

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.44

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE - Hayır. 15V L Sahip =46 nH ,T vj =125 o C

20.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

87

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

16.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L Sahip =46 nH ,T vj =150 o C

22.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

97

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

19.2

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben C =75A, T vj =150 o C

0.95

V

Ben R

Ters akım

T vj =150 o C ,V R =2000V

3.0

mA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R - Yürü

Kavşak -için -Vaka (perIGBT -değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

Vaka -için -Isı çubuğu (perIGBT -değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

g