IGBT Modülü 1700V

Sembolik

Açıklama

GD3600SGT170C4S

Birimler

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ic

Kollektör Akımı@ TC=25℃

Kollektör Akımı@ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Pulsed Collector Akımı tp= 1ms

7200

A

IF

Diyot Sürekli İleri Akım

3600

A

IFM

Diyot maksimum ileri akımı

7200

A

PD

Maksimum Güç Dissipation @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

TSTG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

VISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Sinyal Terminal Vida:M4

Güç Terminal Vida:M8

1.8 ile 2.1

8.0 ile 10

N.M

Tork

Montaj Vida:M6

4.25 ile 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V ((BR) CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

Tj=25℃

1700

V

ICES

Kollektör kesme akımı

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

VGE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Genel Merkezi

Geçit Ücreti

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

Dahili Kapı Direnci

Tj=25℃

0.5

Ω

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

205

ns

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

1510

ns

TF

Sonbahar zamanı

185

ns

Eon

Açma Anahtarlama Kaybı

498

mJ

Eof

Kapatma Anahtarlama Kaybı

1055

mJ

Td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

ns

- Evet.

Kalkma zamanı.

225

ns

Td ((off)

Kapatma gecikme süresi

1800

ns

TF

Sonbahar zamanı

325

ns

Eon

Açma Anahtarlama Kaybı

746

mJ

Eof

Kapatma Anahtarlama Kaybı

1451

mJ

- Evet.

Girdi Kapasitesi

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

317

NF

Koçlar

Çıkış Kapasitesi

13.2

NF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

10.5

NF

Isc

SC Verileri

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A

LCE

Savrulan endüktansa

10

nH

RCC’+EE ’

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.12

mΩ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

VF

Diyot ileriye

Voltaj

IF=3600A

Tj=25℃

1.80

2.20

V

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Geri Alınan Ücret

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25℃

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

Ters İyileşme Akımı

Tj=25℃

2800

A

Tj= 125℃

3300

Erec

Geri dönüştürülmüş enerji

Tj=25℃

590

mJ

Tj= 125℃

1051