Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1700V

GD300HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 300A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

600

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C

1829

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

300

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

600

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC= 12.0mA,V CE =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.88

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk Git =3.3Ω,

Çubuk Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

T j =25o C

213

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

83

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

621

ns

t f

Sonbahar zamanı

350

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

79.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

70.2

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk Git =3.3Ω,

Çubuk Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

240

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

92

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

726

ns

t f

Sonbahar zamanı

649

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

104

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

108

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =4.7Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

248

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

736

ns

t f

Sonbahar zamanı

720

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

115

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

116

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =25o C

82.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

407

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

46.6

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =125o C

138

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

462

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

92.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =150o C

154

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

460

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

109

mJ

NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.082 0.129

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000