Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 300A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
- Motorlu tahrik için inverter
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
B C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C = 100o C |
493
300
|
Bir |
B CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
600 |
Bir |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C |
1829 |
G |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1700 |
V |
B F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
300 |
Bir |
B Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
600 |
Bir |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
B C =300A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
B C =300A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
B C =300A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
B C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
B CES |
Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
B GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
2.5 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
36.1 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.88 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.83 |
|
μC |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A, Çubuk Git =3.3Ω,
Çubuk Goff =4.7Ω, V GE =±15V,
T j =25o C
|
|
213 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
83 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
621 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
350 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
79.2 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
70.2 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A, Çubuk Git =3.3Ω,
Çubuk Goff =4.7Ω, V GE =±15V,
T j = 125o C
|
|
240 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
92 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
726 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
649 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
104 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
108 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A, Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =4.7Ω,
V GE =±15V, T j = 150o C
|
|
248 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
95 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
736 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
720 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
115 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
116 |
|
mJ |
|
B SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
1200
|
|
Bir
|
Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj |
B F =300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
B F =300A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
B F =300A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =900V,I F =300A,
-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =25o C
|
|
82.5 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
407 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
46.6 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =900V,I F =300A,
-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =125o C
|
|
138 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
462 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
92.2 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =900V,I F =300A,
-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V T j =150o C
|
|
154 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
460 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
109 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
Çubuk CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
1.10 |
|
mΩ |
Çubuk - Yürü |
İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
|
0.082 0.129 |
K/W |
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.029 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
350 |
|
g |
EN
