Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD300HFX170C6SA,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 300A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak y

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

600

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

1829

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

600

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

B C =300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

B C =300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.88

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A,

Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =±15V, T j =25o C

265

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

94

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

565

ns

t f

Sonbahar zamanı

326

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

77.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

52.8

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A,

Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =±15V, T j =125o C

302

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

104

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

631

ns

t f

Sonbahar zamanı

521

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

108

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

72.8

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A,

Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =±15V, T j =150o C

313

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

108

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

645

ns

t f

Sonbahar zamanı

545

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

119

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

78.4

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

B F =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

B F =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE =-15V L S =66nH ,T j =25o C

56.3

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

228

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

38.4

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =-15V L S =66nH ,T j =125o C

89.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

262

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

60.2

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE =-15V L S =66nH ,T j =150o C

102

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

272

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

69.6

mJ

NTC Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.082 0.121

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000