Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 300A.
Özellikler
- Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
- En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
-
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak y
Tipik Uygulamalar
- Motorlu tahrik için inverter
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
493
300
|
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C |
1829 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1700 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
300 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
600 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
Ben C =300A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Ben C =300A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
Ben C =300A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =12.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
2.5 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
36.1 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.88 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.83 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A,
R Git =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L Sahip =66nH,V GE =±15V, T j =25 o C
|
|
265 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
94 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
565 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
326 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
77.6 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
52.8 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A,
R Git =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L Sahip =66nH,V GE =±15V, T j =125 o C
|
|
302 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
104 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
631 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
521 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
108 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
72.8 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =300A,
R Git =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L Sahip =66nH,V GE =±15V, T j =150 o C
|
|
313 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
108 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
645 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
545 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
119 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
78.4 |
|
mJ |
|
Ben SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs, V GE =15V,
T j =150 o C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V
|
|
1200
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C |
|
1.95 |
|
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C |
|
1.90 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =300A,
-di/dt=2650A/μs,V GE =-15V L Sahip =66 nH ,T j =25 o C
|
|
56.3 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
228 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
38.4 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =300A,
-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =-15V L Sahip =66 nH ,T j =125 o C
|
|
89.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
262 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
60.2 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =300A,
-di/dt=2250A/μs,V GE =-15V L Sahip =66 nH ,T j =150 o C
|
|
102 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
272 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
69.6 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
1.10 |
|
mΩ |
R - Yürü |
Kavşak -için -Vaka (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
|
0.082 0.121 |
K/W |
|
R thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül) |
|
0.030 0.045 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
350 |
|
g |
EN
