Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1700V

GD300HFX170C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C2S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 300A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) Çukur IGBT teknoloji
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • VCE (sat) ile pozitif sıcaklık katsayı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

600

A

PD

Maksimum Güç Çöklenti T =175o C

1829

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

300

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

600

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC= 12.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.88

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

2.83

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

204

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

48

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

595

ns

t f

Sonbahar zamanı

100

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

69.3

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

63.3

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω

v GE =±15V, T j = 125o C

224

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

55

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

611

ns

t f

Sonbahar zamanı

159

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

96.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

99.0

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω

v GE =±15V, T j = 150o C

240

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

55

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

624

ns

t f

Sonbahar zamanı

180

ns

Eaçık

Anahtarlama

Kayıp

107

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

105

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

55

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

297

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

32.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

116

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

357

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

68.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

396

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

120

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

81.6

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.35

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.082

0.129

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000