Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD100HCX170C6SA ,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

196

100

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

200

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

815

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

100

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

200

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

B C =100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

B C =100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

7.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, Çubuk G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =25o C

196

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

298

ns

t f

Sonbahar zamanı

367

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

26.4

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

14.7

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, Çubuk G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =125o C

217

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

53

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t f

Sonbahar zamanı

516

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

36.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

21.0

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, Çubuk G =1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =150o C

223

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

56

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t f

Sonbahar zamanı

551

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

39.1

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.4

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

B F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

B F =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V GE =-15V LS =52nH ,T vj =25o C

26.8

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

78

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.4

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V GE =-15V LS =52nH ,T vj =125o C

42.3

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

86

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

23.7

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V LS =52nH ,T vj =150o C

48.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

89

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

27.4

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.184 0.274

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.060 0.090 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000