CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT-modul 1700V Inverterare Växlingar Drivningar Original Ny Vindkraftverk Diskreta Halvledarmoduler

Företagsprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. är ett teknikbaserat företag med import- och exportkvalifikationer. Stiftat på principerna om innovation och excelens står vi i främsta ledet när det gäller halvledaralternativa lösningar och teknik, specialiserade på halvledarproduktdesign, kontraktsskapande och distribution. Vi har strikta krav på valet av samarbetspartnerschaft, vi samarbetar endast med teknikföretag och tillverkare som har världsledande design- och tillverknings teknik. Anpassningen av optimeringen av fabriksautomatiska transmissionslinjer är en annan viktig del av vår kontraktsproduktion.

Vårt produkter

1	IGBT-modul och förare
2	IGCT modul och förare
3	Inverter kärnboard
4	Diodmodul
5	Diodmodul
6	Strömsensor
7	Kondensatorer
8	Resistans
9	Energilagringssystem
10	Industrirobotar och kärnkomponenter
11	Civila obevakade flygplan och kärnkomponenter

Produktdescription

Funktioner

(1) AISiC-bottenplatta för hög effekt cyklingsförmåga
(2) Cu-basplatt
(3) Hög termisk cyklingsförmåga
(4) Hög strömdifthet

(5) 10μs kortslutningsuthållighet
(6) Låg VCEsat

Typiska Tillämpningar

(1) Motorstyrningar
(2) Hög effektomvandlare
(3) Vindkraftverk
(4) Hög tillförlitlighet Inverter

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Halvbrücka IGBT

Nyckelparametrar

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	Typ.	1.85	V
Jag _C	Max.	1000	A
IC ((RM)	Max.	2000	A

Absoluta maximala värden( Tcase = 25°C om inte annat anges )

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V _CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V _GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag _C	Kollektorström @ Tcase = 90 °C	1000	A
Jag _C(PK)	Spetskollström, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max	Maximal transistorer dissipation,Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Jag ²t	Diode I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isol	(Föreningar till basplatta), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
Jag _F	Diode framåtström, DC	1000	A
Jag _{Från och med den 1 januari}	Diode maximal framåtström, tp=1ms	2000	A
Monteringsmoment	Montering – M5	6	Nm
	Montering – M5	6
		Elektriska anslutningar – M8		10

Elektriska egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

typ

Max.

Värde

Enhet

V _F

Diodens framåtspänning

Jag _F=1000A，V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Jag _F=1000A，V _Generella= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Jag _F=1000A，V _Generella= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Jag _{Från och med den 1 januari}

Diodens toppström framåt

t _P= 1ms

2000

A

Jag _F

Diode framåtström,

DC

1000

A

Irr

Diod omvänd
återställningsström

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Diod omvänd
återställningsladdning

285

μC

315

340

E _rec

Diodens återvinning av energi

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektriska egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V _{CE (sat)}	Kollektor-sändarens mättningsspänning	V _Generella=15V, I _C= 900A, T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _Generella=15V, I _C= 900A, T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _Generella=15V, I _C= 900A, T _vj= 150°C			2.2	2.6
Jag _CES	Kollektorns avskärmningsström	V _Generella=15V, I _C= 900A, Tvj= 25°C			1	mA
				V _Generella=15V, I _C= 900A, Tvj= 125°C				10
				V _Generella=15V, I _C= 900A, Tvj= 150°C				20
Jag _GES	Gate läckström	V _Ce=0V, V _Generella= ± 20 V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Gränsspänning för utgivare	Jag _C= 40mA, V _Generella= V _Ce	5.0	6.0	7.0	V
t _d(on)	Tidsfördröjning för på- @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n
								1410
								1440
avstängning	Avstängningens fördröjningstid @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n
								470
								450
Jag _SC	Kortslingsström	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _Generella≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
- Det är sant.	Inmatningskapacitet	V _Ce= 25V, V _Generella= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Omvänd överföringskapacitet	V _Ce= 25V, V _Generella= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Portavgift	± 15 V		11.4		µC
E _på	Energiförlust vid påstart @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _avstängd	Slå-av switchförlustenergi @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Varför Välja Oss

1. vi distribuerar endast produkter från kinesiska tillverkare med världsledande teknik. Detta är vår nyckelåtgärd.
2. Vi har strikta krav på valet av tillverkare.
3. Vi kan erbjuda våra kunder alternativa lösningar från Kina.
4. Vi har ett ansvarsfullt team.

Produktförpackning