CRRC 1700V 2400A Högspännings-IGBT-modul TIM2400ESM17-TSA000 Ny/Original Smart Grid Effektmodul Hackare Inverter Konverter

Företagsprofil

Beijing World E To Technology Co., Ltd. är ett teknikbaserat företag med import- och exportkvalifikationer, grundat på principerna om innovation och excelens, står i främsta ledet när det gäller halvledaralternativa lösningar och teknik. Specialiserat på halvledarproduktdesign, kontraktsskapande och distribution. Vi har strikta krav på valet av samarbetspartners, vi samarbetar endast med teknikföretag och tillverkare som har världsledande design- och tillverknings teknik. Optimering av fabriksautomatiska transmissionslinjer är en annan viktig del av vår kontraktsproduktion. .

Vårt pRODUKTER

1	IGBT-modul och förare
2	IGCT modul och förare
3	Inverter kärnboard
4	Diodmodul
5	Diodmodul
6	Strömsensor
7	Kondensatorer
8	Resistans
9	Stålförstärkare
10	Industrirobotar och kärnkomponenter
11	Civila obevakade flygplan och kärnkomponenter

Produktdescription

Funktioner

(1) AISiC-bottenplatta
(2) AIN-underlag
(3) Hög termisk cyklingsförmåga
(4) 10μs Kortslingeförsäkring

(5) Låg Vce(sat)-enhet

(6) Hög strömdifthet

Typiska Tillämpningar

(1) Traktionsdrivare
(2) Motorreglare
(3) Smart Grid
(4)Hög tillförlitlighets inverterare

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17（E）

1700V/2400A Ensam Växel IGBT

Nyckelparametrar

Symbol	Beskrivning	Värde	Enhet
V _CES		1700	V
V _{CE (sat)}	Typ.	1.75	V
Jag _C	Max.	2400	A
Jag _C(RM)	IC ((RM)	4800	A

Absolut högsta kreditbetyg

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Värde	Enhet
V _CES	Kollektor-emitterspänning	V _Generella= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Gate-emitter spänning	T _C= 25 °C	±20	V
Jag _C	Kollektor-sändare ström	T _C= 75°C	2400	A
Jag _C(PK)	Spetsström för kollektorn	t _P=1 ms	4800	A
P _max	Max. strömförlust från transistorn	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Jag ²t	Diode I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Isoleringspåtryckning –per modul	(gemensamma slutar till basplattan), AC RMS,1 min, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Partiell avsparning–per modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS	10	pC

Termiska & mekaniska data

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Max.	Värde		Enhet
R _{th(J-C) IGBT}	Tervmotstånd – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Tervmotstånd – Diode			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Termisk resistans – hölje till kylfläns (IGBT)	Monteringsmoment 5Nm, med monteringsfett 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Användningstemperatur vid kryssningsstationen			Diod	-40	150	°C
M	Skruvmoment	Montering –M6		5	nm
				Elektriska anslutningar –M4		2	nm
				Elektriska anslutningar –M8		10	nm

Elektriska egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
Jag _CES	Kollektorns avskärmningsström	V _Generella= 0V,V _Ce= V _CES			1	mA
				V _Generella= 0V, V _Ce= V _CES, T _C= 125 °C			40	mA
				V _Generella= 0V, V _Ce= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Jag _GES	Gate läckström	V _Generella= ±20V, V _Ce= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Porttröskelspänning	Jag _C= 40mA, V _Generella= V _Ce	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Kollektor-sändarens mättningsspänning	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Jag _F	Diodström framåt	DC		2400		A
Jag _{Från och med den 1 januari}	Diodens toppström framåt	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Diodens framåtspänning	Jag _F= 250A, V _Generella= 0		1.65		V
				Jag _F= 250A, V _Generella= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Jag _F= 250A, V _Generella= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Jag _SC	Kortslingsström	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _Generella≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
- Det är sant.	Inmatningskapacitet	V _Ce= 25V, V _Generella= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Portavgift	±15		19		μC
Cres	Omvänd överföringskapacitet	V _Ce= 25V, V _Generella= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Modulinduktans			10		nH
R _INT	Intern resistans för transistor			110		mΩ

T fall = 25°C om inte annat anges

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min

Typ

Max

Enhet

t _d(off)

Avstängningens fördröjningstid

Jag _C= 2400A
V _Ce= 900V
L _S~ 50nH
V _Generella= ±15V
R _G(ON)= 0.5Ω
R _G(OFF)= 0.5Ω

2320

n

E _Avstängd

Energiförlust vid avstängning

500

mJ

t _d(on)

Tidsfördröjning för på-

1050

n

E _På

Energiförlust vid påstart

410

mJ

Q _rr

Diodens återvinningsavgift

Jag _F= 2400A
V _Ce= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Jag _rr

Diodens omvänd återvinningström

1000

A

E _rec

Diodens återvinning av energi

320

mJ

T fall = 150°C om inte annat anges