MTx1200 MFx1200 MT1200, Thyristor/Diode Moduler, Vattenkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3

MFx1200-06-411F3 MFx1200-08-411F3 MFx1200-10-411F3 MFx1200-12-411F3 MFx1200-14-411F3 MFx1200-16-411F3 MFx1200-18-411F3

MTx står för alla typer av MTC, MTA, MTK

MFx står för alla typer av MFC, MFA, MFK

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180° halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55 ℃

125

1200

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1884

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

55

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

26.0

kA

Jag ²t

I2t för smältkoordination

125

3380

10³A ²s

V _Till

Tröskelspänning

125

0.83

V

r _T

Påslags lutningsmotstånd

0.14

mΩ

V _TM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

1.88

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤0.5μs Repetitiv

125

200

A/μs

Jag _GT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

V _GT

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

Jag _H

Hållström

10

200

mA

Jag _L

Låsningsström

1000

mA

V _GD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

R _{förteckning över de behöriga myndigheterna}

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.048

℃ /W

R _{första stycket}

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.018

℃ /W

V _iSO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

T _vj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

T _sTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

3230

g

Översikt

411F3