MTx1000 MFx1000 MT1000, Thyristor/Diode Moduler, Vattenkylning

VRRM, VDRM

Typ & Kontur

2000 V

MT3 förpackning

MFx1000-20-411F3

2200V

MT3 förpackning

MFx1000-22-411F3

2500 V

MT3 förpackning

MFx1000-25-411F3

2500 V

MT3F3G

Symbol

Egenskap

Testförhållanden

Tj( ℃ )

Värde

Enhet

Min

TYP

Max

IT(AV)

Medel påslagsström

180。halv sinusvåg 50Hz

Ensidigt kylt, THS=55 ℃

125

1000

A

IT ((RMS)

RMS på-läget ström

1570

A

Idrm Irrm

Återkommande toppström

vid VDRM vid VRRM

125

50

mA

ITSM

Överspännings påslagsström

VR=60%VRRM, t=10ms halvsinus

125

18.0

kA

I2t

I2t för smältkoordination

125

1620

10³A ²s

VTO

Tröskelspänning

125

0.85

V

rt

Påslags lutningsmotstånd

0.24

mΩ

VTM

Topp påslags spänning

ITM=3000A

25

2.20

V

dv/dt

Kritisk hastighet av ökning av avstängningsspänning

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritisk hastighet av ökning av på-lägesström

Gate källa 1.5A

tr ≤ 0,5 μs Upprepande

125

200

A/μs

IGT

Portutlösningsström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Portutlösningsspänning

0.8

3.0

V

IH

Hållström

10

200

mA

IL

Låsningsström

1000

mA

VGD

Icke-utlösningsportspänning

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termisk resistans från junction till hölje

Ensidigt kyld per chip

0.048

。C/W

Rth(c-h)

Termisk resistans hölje till kylfläns

Ensidigt kyld per chip

0.024

。C/W

VISO

Isoleringsspänning

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Topp för terminalanslutning ((M12)

12

16

N·m

Monteringsmoment ((M8)

10

12

N·m

Tvj

Sammanslagningstemperatur

-40

125

℃

TSTG

Lagringstemperatur

-40

125

℃

Wt

Vikt

3230

g

Översikt

411F3