Kort introduktion
IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 3600A ,C4 .
Funktioner
- Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
- 10 μs kortslutningsförmåga
- VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
-
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
- Låg induktanshus
- Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
- Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
Typiska Tillämpningar
- Hög effektomvandlare
- Motorstyrningar
Absolut Maximal Betyg T C =25o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1700 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =100o C |
3600 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
7200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C |
21.4 |
kW |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1700 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
3600 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
7200 |
A |
Jag FSM |
Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C |
23.22 19.95 |
kA |
Jag 2t |
Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =25o C Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10ms ,t j =150o C |
2695
1990
|
kA 2s |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T jmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat)
|
Samlare till emitterare Mätningsspänning
|
Jag C =3600A,V Generella =15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Jag C =3600A,V Generella =15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
Jag C =3600A,V Generella =15V, T j =150o C |
|
2.30 |
|
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =144.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V |
|
427 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
10.7 |
|
nF |
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15…+15V |
|
35.3 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,
L S =65nH ,T j =25o C
|
|
1161 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
413 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
4761 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
430 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
1734 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2580 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,
L S =65nH ,T j =125o C
|
|
1370 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
547 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
5303 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
457 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
2679 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2881 |
|
mJ |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,
L S =65nH ,T j =150o C
|
|
1413 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
585 |
|
n |
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
5490 |
|
n |
t f |
Hösttid |
|
473 |
|
n |
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
2863 |
|
mJ |
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2960 |
|
mJ |
|
Jag SC
|
SK-uppgifter
|
t P ≤10μs, V Generella =15V,
T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
14.0
|
|
kA
|
Diod Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F
|
Diod framåt Spänning |
Jag F =3600A,V Generella =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Jag F =3600A,V Generella =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
Jag F =3600A,V Generella =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =3600A,
-di/dt=7000A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH ,T j =25o C
|
|
207 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
1030 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
199 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =3600A,
-di/dt=5700/μs,V Generella =-9V, L S =65nH ,T j =125o C
|
|
288 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
1020 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
339 |
|
mJ |
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =3600A,
-di/dt=5200A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH ,T j =150o C
|
|
391 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd
Återställningsström
|
|
996 |
|
A |
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
341 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L CE |
Strömavtryck |
|
6.0 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
0.085 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Case (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.) |
|
|
7.0 12.8 |
K/kW |
R thCH |
Case -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
6.2 11.3 4.0 |
|
K/kW |
d - Sväpnad. |
Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal |
|
32.2 32.2 |
|
mm |
d Klar |
Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal |
|
19.1 19.1 |
|
mm |
|
M
|
Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6 |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1
10
5.75
|
N.M
|
G |
Vikt av Modul |
|
2060 |
|
g |
EN
