Alla kategorier
Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1700V

IGBT-modul 1700V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1700V

GD3600SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

1700V 3600A, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD3600SGX170C4S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 3600A,C4 .

Egenskaper

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

  • Hög effektomvandlare
  • Motorstyrningar

Absolut Maximal Betyg T C=25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=100o C

3600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

7200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

21.4

kW

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

3600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

7200

A

IFSM

Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

23.22 19.95

kA

I2t

I2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =25o CI2t-värde,V R =0V,T p =10ms ,t j =150o C

2695

1990

kA2s

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=3600A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=3600A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=3600A,V Generella =15V, T j =150o C

2.30

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=144.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

427

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

10.7

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

35.3

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

1161

n

t r

Uppgångstid

413

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

4761

n

t f

Hösttid

430

n

E

Tänd Växling Förlust

1734

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2580

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

1370

n

t r

Uppgångstid

547

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5303

n

t f

Hösttid

457

n

E

Tänd Växling Förlust

2679

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2881

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

1413

n

t r

Uppgångstid

585

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5490

n

t f

Hösttid

473

n

E

Tänd Växling Förlust

2863

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

2960

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

14.0

kA

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =3600A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =3600A,V Generella =0V,T j =125o C

1.90

IF =3600A,V Generella =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V Generella =-9V, LS =65nH ,T j =25o C

207

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1030

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

199

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V Generella =-9V, LS =65nH ,T j =125o C

288

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1020

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

339

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V Generella =-9V, LS =65nH ,T j =150o C

391

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

996

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

341

mJ

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

6.0

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.085

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

6.2 11.3 4.0

K/kW

d - Sväpnad.

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

32.2 32.2

mm

d Klar

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

19.1 19.1

mm

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

2060

g

Översikt

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella försäljningsteam väntar på dina frågor.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000