GD3600SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =100 o C

3600

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

7200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 o C

21.4

kW

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1700

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

3600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

7200

A

Jag FSM

Spetsström framåt V R =0V,T p =10ms, @T j =25 o C @T j = 150 o C

23.22 19.95

kA

Jag 2t

Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10m s,T j =25 o C Jag 2t-värde,V R =0V,T p =10ms ,t j = 150 o C

2695

1990

kA 2s

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =3600A,V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.30

V

Jag C =3600A,V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C =3600A,V Generella =15V, T j = 150 o C

2.30

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =144.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

427

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

10.7

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

35.3

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 o C

1161

n

t r

Uppgångstid

413

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

4761

n

t f

Hösttid

430

n

E på

Tänd Växling Förlust

1734

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

2580

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =125 o C

1370

n

t r

Uppgångstid

547

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5303

n

t f

Hösttid

457

n

E på

Tänd Växling Förlust

2679

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

2881

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

1413

n

t r

Uppgångstid

585

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5490

n

t f

Hösttid

473

n

E på

Tänd Växling Förlust

2863

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

2960

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

14.0

kA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =3600A,V Generella =0V,T j = 25o C

1.80

2.25

V

Jag F =3600A,V Generella =0V,T j =125 o C

1.90

Jag F =3600A,V Generella =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j =25 o C

207

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1030

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

199

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j =125 o C

288

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

1020

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

339

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j = 150 o C

391

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

996

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

341

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

6.0

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.085

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

Housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

6.2 11.3 4.0

K/kW

d - Sväpnad.

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

32.2 32.2

mm

d Klar

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

19.1 19.1

mm

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

2060

g