GD300HFX170C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

600

A

PD

Maximal effektförlust T =175o C

1829

W

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 12.0mA,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

36.1

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

0.88

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

2.83

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω,

V Generella =± 15 V, T j =25o C

204

n

t r

Uppgångstid

48

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

595

n

t f

Hösttid

100

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

69.3

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

63.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω

,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

224

n

t r

Uppgångstid

55

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

611

n

t f

Hösttid

159

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

96.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

99.0

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C=300A, R G=2.4Ω

,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

240

n

t r

Uppgångstid

55

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

624

n

t f

Hösttid

180

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

107

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

105

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

IF =300A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

55

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

297

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

32.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =125o C

116

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

357

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

68.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =- 15V T j =150o C

396

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

120

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

81.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g