iGBT-modul
IGBT-modulen (Insulated Gate Bipolar Transistor) representerar en banbrytande avancemang inom kraftelektronik, där de bästa egenskaperna hos MOSFET- och bipolära transistorteknologier kombineras. Denna sofistikerade halvledaren är en avgörande komponent i moderna system för effektreglering och erbjuder exceptionella switchningsförmågor och effektiv energihantering. Modulen består av flera IGBT-chips som är ordnade i olika konfigurationer, kompletterade med antiparallella dioder och specialdesignad kapsling för optimal termisk hantering. IGBT-moduler arbetar vid frekvenser mellan 1 kHz och 100 kHz och klarar spänningar från 600 V upp till 6500 V samt strömmar på flera tusen ampere. Dessa moduler presterar utmärkt i applikationer som kräver hög spännings- och strömhantering, vilket gör dem oumbärliga i industriella motordrivsystem, förnybara energisystem och elmotordrivlinjer för elfordon. Integrationen av avancerad styrekrets på porten säkerställer exakt switchkontroll, medan inbyggda skyddsfunktioner skyddar mot överström, kortslutning och överspänning. Moderna IGBT-moduler innehåller även sofistikerade lösningar för termisk hantering, såsom direkt kopparlödda (DCB) substrat och avancerade kylsystem, vilket möjliggör tillförlitlig drift under krävande förhållanden.