Кратко увођење
Trijistor/Diodni modul, МТк1200,МФк1200 ，1200А ,Хлађење ваздухом ,proizvedeno od strane TECHSEM .
VRRM,VDRM |
Tip i kontura |
600В |
МТк1200-06-412Ф3 |
МФк1200-06-412Ф3 |
800В |
МТк1200-08-412Ф3 |
МФк1200-08-412Ф3 |
1000В |
МТк1200-10-412Ф3 |
МФк1200-10-412Ф3 |
1200В |
МТк1200-12-412Ф3 |
МФк1200-12-412Ф3 |
1400V |
МТк1200-14-412Ф3 |
МФк1200-14-412Ф3 |
1600V |
МТк1200-16-412Ф3 |
МФк1200-16-412Ф3 |
1800V |
МТк1200-18-412Ф3 |
МФк1200-18-412Ф3 |
1800V |
МТ1200-18-412Ф3Г |
|
МТкс значи било који врста МТЦ, МТА, МТК
МФкс значи било који тип е од МФЦ, МФР, МФК
Особности
- Izolovana montažna baza 3000V~
- Tehnologija pritisnog kontakta sa
- Povećanom sposobnošću cikliranja snage
- Ušteda prostora i težine
Типичне примене
- АЦ/ДЦ мотори
- Različiti ispravljači
- ЦЦ снабдевање за ПВМ инверт
|
Симбол
|
Карактеристично
|
Услови испитивања
|
Tj( ℃) |
Вредност |
Јединица
|
Минус |
Тип |
Макс |
IT ((AV) |
Srednji strujni tok u aktivnom stanju |
180°polu sinusni talas 50Hz
Једнострано хлађен, ТЦ=60 ℃
|
125
|
|
|
1200 |
А |
IT(RMS) |
RMS struja u stanju uključenja |
|
|
1884 |
А |
Идром Идром |
Ponovljeni vršni trenutni |
pri VDRM pri VRRM |
125 |
|
|
55 |
мА |
ITSM |
Prekoračenje struje u aktivnom stanju |
ВР=60%ВРРМ,,т=10мс полусинус, |
125 |
|
|
26 |
kA |
I2t |
I2t za koordinaciju fuzije |
125 |
|
|
3380 |
103А 2с |
VTO |
Пресни напон |
|
125
|
|
|
0.70 |
V |
rT |
Otpor nagiba u aktivnom stanju |
|
|
0.14 |
mΩ |
VTM |
Vršna naponska vrednost u aktivnom stanju |
ИТМ=3000А |
25 |
|
|
1.96 |
V |
dv/dt |
Kritična brzina porasta napona u isključenom stanju |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
В/μs |
ди/т |
Критична стопа повећања струје у стању |
Izvor vrata 1.5A
tr ≤0.5μs Ponovljivo
|
125 |
|
|
200 |
А/μс |
ИГТ |
Struja okidanja kapije |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
мА |
Вгг. |
Napon okidača |
0.8 |
|
3.0 |
V |
ИХ |
Držna struja |
10 |
|
200 |
мА |
ИЛ |
Zadržavajuća struja |
|
|
1500 |
мА |
VGD |
Napon okidača bez okidanja |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Ртх(ј-ц) |
Toplotna otpornost spojnice do kućišta |
Na 180 °синус. Једнострана хладна по чипу |
|
|
|
0.048 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Toplotna otpornost kućišta do hladnjaka |
Na 180 °синус. Једнострана хладна по чипу |
|
|
|
0.020 |
℃/W |
Визо |
Napon izolacije |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V |
|
ФМ
|
Тоцк за терминалну везу ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
Н·м |
Укључивање на кочни момент (М8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
Н·м |
ТВј |
Температура уједињења |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Тстг |
Temperatura skladištenja |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
УТ |
Тежина |
|
|
|
3660 |
|
г |
Облик |
412Ф3 |
EN
