Из алибабы

TIM500GDM33-PSA011 Новый оригинальный модуль мощности IGBT CRRC Дискретный полупроводниковый транзистор Шопперы Инверторы/Преобразователи Приводы

TIM500GDM33-PSA011 Новый оригинальный модуль мощности IGBT CRRC Дискретный полупроводниковый транзистор Шопперы Инверторы/Преобразователи Приводы

Введение

Профиль компании

Beijing World E To Technology Co., Ltd. — это технологическая компания с правом импорта и экспорта, основанная на принципах инноваций и превосходства, занимающая передовые позиции в области альтернативных решений и технологий в сфере полупроводников. Мы специализируемся на проектировании полупроводниковых продуктов, контрактной кастомизации и дистрибуции. У нас строгие требования к выбору партнеров по сотрудничеству: мы сотрудничаем только с технологическими компаниями и производителями, обладающими первоклассными технологиями проектирования и производства. Оптимизация линий автоматической трансмиссии завода является еще одной важной частью нашего контрактного производства.

Наша продукция

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Ядро инвертора
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Твердотельный реле
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) AISiC Основание для высокой циклической способности мощности
(2) Подложки AIN для низкого теплового сопротивления
(3) Высокая термостойкость при циклических нагрузках
(4) Высокая плотность тока

(5) Способность выдерживать короткое замыкание 10μs
(6) Низкое VCEsat

Типичные применения

(1) Тяговые приводы
(2) Контроллеры двигателя
(3) Шунтирующие устройства
(4) Инверторы/преобразователи среднего напряжения

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300В/500А Модули IGBT высокого напряжения

Основные параметры

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES		3300	В
В _{CE (США)}	Тип.	2.4	В
Я _C	Макс.	500	A
Я _CM	ICRM	1000	A

Абсолютные максимальные рейтинги

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	3300	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я _C	Коллекторный ток @ T _C=100℃	500	A
Я _CM	Импульсный коллекторный ток, tp=1мс, Tc=140°C	1000	A
Р _{- Да.}	Общее тепловыделение, TC=25°C, на каждый ключ (IGBT)	5200	В
Я ²т	Диод I ²t ,VR =0В, tP = 10мс, Tvj = 150°C	80	кА ²с
В _{изолированный}	1min, f=50Hz	6000	В
т _псц	IGBT короткозамыкание SOA VCC=2500В,VCEMCHIP≤3300В VGE≤15В,Tvj≤125°C	10	μs
Я _F	Прямой ток	500	A
Я _ФРМ	Пиковый прямой ток ,tp=1мс	1000	A
Q _ПД	Частичный разряд,V1= 3500В ,V2= 2600В, 50Гц RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	пК
Монументы установки	М _СМонтаж – M6	5	Нм
		М _T1Электрические соединения M4		2
		М _Т2Электрические соединения M8		8

Характеристические значения диодов

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	тип	Макс.	Значение		Единица
В _F	Напряжение вперед IF =500А	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	В		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	В		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	В		℃
Я _рР	Обратный рекуперационный ток Я _F=500A В _CC=1800V, diF/dt=2100A/μс	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		В
				Tvj = 150 °C			490
Q _рР	Восстановленная зарядка Я _F=500A В _CC=1800V, diF/dt=2100A/μс	Tvj = 25 °C		390		мК
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
Е _rec	Энергия обратной рекуперации Я _F=500A В _CC=1800V, diF/dt=2100A/μс	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Значения характеристик IGBT

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
_{В _CEsat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.I _C=500A, V _GE=15В	Tvj= 25°C		2.40	2.90	В
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	В
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	В
Я _ГЭС	Ток утечки затвора	В _СЕ=0В, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	нД
В _{ГЕ (ТХ)}	Пороговое напряжение выпускателя	Я _C=40mA, V _СЕ=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	В
Я _CES	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.V _СЕ=3300V,V _GE=0В	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Я _SC	Короткое замыкание	tpsc ≤ 10μc, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Я _ФРМ	Пиковое течение диоды вперед	т _Р= 1мс		500		A
т _d(on)	Время задержки включения	Tvj = 25 °C		650		nS
				Tvj = 125 °C		630		nS
				Tvj = 150 °C		620		nS
т _d(off)	Время задержки выключения	Tvj = 25 °C		1720		nS
				Tvj = 125 °C		1860		nS
				Tvj = 150 °C		1920		nS
Я _SC	Короткое замыкание	т _псц≤ 10μc, V _GE=15В, Т _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
- Да, конечно.	Входной пропускной способностью	В _СЕ=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		нФ
Главный офис	Сбор за вход	C=500A,V _СЕ=1800V,V _GE=-15В…15В		5.0		мК
Крес	Капацитет обратной передачи	В _СЕ=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		нФ
Е _нА	Энергия потери при включении Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	В _CC=1800В, I _C=500А, RG(ON)=3.0Ом RG(OFF)=4.5Ом,C _GE=100нФ,V _GE=±15В Л _δ=150нГн		730		nH
							880		mJ
							930
Е _{вЫКЛЮЧЕННЫЙ}	Энергия потерь при переключении отключения Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Почему выбирают нас

1. Мы распространяем только продукты от китайских производителей с передовыми технологиями. Это наш ключевой показатель.
2. У нас строгие требования к выбору производителей.
3. Мы можем предложить клиентам альтернативные решения из Китая.
4. У нас есть ответственная команда.

Упаковка продукта