Из алибабы

Модуль транзистора IGBT TIM250PHM33-PSA011 для инвертора шопперов Новое и оригинальное устройство шоппера CRRC Модуль мощности IGBT

Модуль транзистора IGBT TIM250PHM33-PSA011 для инвертора шопперов Новое и оригинальное устройство шоппера CRRC Модуль мощности IGBT

Введение

Профиль компании

Beijing World E To Technology Co., Ltd. — это технологическая компания с правом импорта и экспорта, основанная на принципах инноваций и превосходства, занимающая передовые позиции в области альтернативных решений и технологий в сфере полупроводников. Мы специализируемся на проектировании полупроводниковых продуктов, контрактной кастомизации и дистрибуции. У нас строгие требования к выбору партнеров по сотрудничеству; мы сотрудничаем только с технологическими компаниями и производителями, обладающими передовыми технологиями проектирования и производства. Оптимизация автоматических линий передач на заводе является еще одной важной частью нашего контрактного производства.

Наша продукция

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Модуль FRD
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Твердотельный реле
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) AISiC Основание
(2) Подложки AIN
(3) Высокая способность к тепловому циклу
(4) Способность выдерживать короткое замыкание 10μs

Типичные применения

(1) Вспомогательные устройства тяги
(2) Контроллеры двигателя
(3) Шунтирующие устройства
(4) Надежный инвертор

TIM250PHM33-PSA011

3300В/250А Полумостовой IGBT

Основные параметры

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES		3300	В
В _{CE (США)}	Тип.	2.5	В
Я _C	Макс.	250	A
Я _{C ((RM)}	IC(RM)	500	A

Абсолютные максимальные рейтинги

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	3300	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я _C	Коллекторный ток @ T _C=100℃	250	A
Я _C(PK)	Импульсный ток коллектора t _р=1 мс	500	A
Р _макс	Максимальная мощность рассеяния транзистора Tvj = 150°C, TC = 25 °C	2600	В
Я ²т	Диод I ²т В _R=0V, T _Р= 10мс, Tvj = 150 °C	20	кА ²с
В _{изолированный}	Напряжение изоляции – на модуль (Общие выводы к основанию), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 °C	6000	В
Q _ПД	Частичное разряд – на модуль IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	пК

Тепловые и механические данные

Символ	Объяснение	Значение	Единица
Расстояние ползания	Терминал к теплоотводу	33.0	мм
Расстояние ползания		Терминал к терминалу	33.0	мм
Распродажа	Терминал к теплоотводу	20.0	мм
Распродажа		Терминал к терминалу	20.0	мм
CTI (Индекс сравнительного отслеживания)	Максимальный прямой ток диода t _р=1 мс	＞600

Тепловые и механические данные

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Макс.	Значение		Единица
R _{т(J-C) IGBT}	Тепловое сопротивление – IGBT			48	K / kW		℃
R _{т(J-C) Диод}	Тепловое сопротивление – Диод			80	K / kW		℃
R _{т(C-H) IGBT}	Тепловое сопротивление – корпуса к радиатору (IGBT)	Момент затяжки 5Nm, с монтажной смазкой 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Диод}	Тепловое сопротивление – корпуса к радиатору (Диод)	Момент затяжки 5Nm, с монтажной смазкой 1W/m·°C		36	K / kW		В
Т _{vj op}	Тепловая температура рабочего раздела	IGBT	-40	150	°C
Т _{vj op}	Тепловая температура рабочего раздела			Диод	-40	150	°C
М	Момент затяжки	Установка M6		5	нм
М			Электрические соединения – M5		4	нм

Электрические характеристики

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Я _CES	Ток отсечения коллектора	В _GE= 0V,V _СЕ= V _CES			1	mA
				В _GE= 0V, V _СЕ= V _CES, T _C= 0V,			15	mA
				В _GE= 0V, V _СЕ= V _CES, T _C=150 °C			25	mA
Я _ГЭС	Ток утечки затвора	В _GE= ±20V, V ^СЕ= ±20V,			1	μA
В _{ГЕ (ТХ)}	Напряжение порога затвора	Я _C= 20мА, В _GE= VCE	5.5	6.1	7.0	В
VCE _(вкл)	Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	VGE =15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
Я _F	Диодный прямой ток	Постоянный ток		250		A
Я _ФРМ	Пиковое течение диоды вперед	т _Р= 1мс		500		A
В _F	Прямое напряжение диода	Я _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.40	В
				Я _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	В
				Я _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	В
Я _SC	Короткое замыкание	Т _vj= 150° C, V _CC= 2500V, В _GE≤15V, tp≤10μс, В _СЕ(макс) = V _CES– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A
- Да, конечно.	Входной пропускной способностью	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		нФ
Главный офис	Сбор за вход	±15		2.6		В
Крес	Капацитет обратной передачи	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		нФ
Л _М	Индуктивность модуля			40		nH
R _ИНТ	Сопротивление внутреннего транзистора			0.5		мОм

Почему выбирают нас

1. Мы распространяем только продукты от китайских производителей с передовыми технологиями. Это наш ключевой показатель.
2. У нас строгие требования к выбору производителей.
3. Мы можем предложить клиентам альтернативные решения из Китая.
4. У нас есть ответственная команда.

Упаковка продукта