Из алибабы

GD650HFX170P1S Модуль мощности Starpower Новое оригинальное транзисторное устройство IGBT ИБП Инвертор 1700V Пробой Электронные компоненты

GD650HFX170P1S Модуль мощности Starpower Новое оригинальное транзисторное устройство IGBT ИБП Инвертор 1700V Пробой Электронные компоненты

Введение

Профиль компании

Beijing World E To Technology Co., Ltd. — это технологическая компания с правом импорта и
экспортными квалификациями, занимающаяся в основном дистрибуцией полупроводников продукция и контрактным производством в Китае.
У нас есть строгие требования к выбору производителей. Поэтому мы распространяем продукцию только китайских производителей с
технология высшего класса.
Адаптация оптимизации автоматических трансмиссионных линий завода является другой важной частью нашего контракта
производство.

Наши ПРОДУКТЫ

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Модуль FRD
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Твердотельный реле
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) Технология траншейных IGBT с низким VCE(sat)
(2) Способность выдерживать короткое замыкание в течение 10 мкс
(3) VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
(4) Максимальная температура перехода 175℃
(5) Корпус с низкой индуктивностью
(6) Быстрый и плавный обратный восстанавливающий параллельный FWD
(7) Изолированная медная плата, использующая технологию DBC

Типичные применения

(1) Высоковольтный преобразователь
(2) Ветровая и солнечная энергия
(3) Привод тяги

GD650HFX170P1S

1700В/650А 2 в одном корпусе

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
Этот тип iGBT модуля мощности обеспечивает сверх
низкие потери на проводимость, а также устойчивость к короткому замыканию.
Они разработаны для применения в таких областях, как
ветроэнергетика и солнечная энергия.

Абсолютные максимальные рейтинги

Т _C=25℃ если не указано иное

IGBT

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1700	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я _C	Коллекторный ток @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	1073 650	A
Я _CM	Импульсный ток коллектора t _р=1 мс	1300	A
Р _Г	Максимальное рассеивание мощности @ T _j=175℃	4200	В

Диод

Символ	Описание	Значение	Единица
В _RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1700	В
Я _F	Диод непрерывного прямого тока	650	A
Я _ЧМ	Максимальный прямой ток диода t _р=1 мс	1300	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т _jmax	Максимальная температура стыка	175	℃
Т _{- Я не знаю.}	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	℃
Т _СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	℃
В _ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min	4000	В

Почему выбирают нас

1. Мы распространяем только продукты от китайских производителей с передовыми технологиями. Это наш ключевой показатель.
2. У нас строгие требования к выбору производителей.
3. Мы можем предложить клиентам альтернативные решения из Китая.
4. У нас есть ответственная команда.

Упаковка продукта