Из алибабы

Оригинальный силовой модуль GD300HFX170C2S. Новый модуль транзистора IGBT для ИБП, инвертора, преобразователя AC/DC, серводвигателя, усилителя Starpower.

Оригинальный силовой модуль GD300HFX170C2S. Новый модуль транзистора IGBT для ИБП, инвертора, преобразователя AC/DC, серводвигателя, усилителя Starpower.

Введение

Профиль компании

Пекинская компания World E To Technology Co., Ltd. является технологической компанией с правом импорта и экспорта, основанной на принципах инноваций и превосходства, занимающей передовые позиции в области альтернативных решений и технологий в сфере полупроводников. Мы специализируемся на проектировании полупроводниковых продуктов, контрактной кастомизации и дистрибуции. У нас строгие требования к выбору партнеров по сотрудничеству; мы работаем только с технологическими компаниями и производителями, обладающими первоклассными технологиями проектирования и производства. Оптимизация линий автоматической трансмиссии завода является еще одной важной частью нашего контрактного производства. .

Наша продукция

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Ядро инвертора
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Твердотельный реле
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) Технология траншейных IGBT с низким VCE(sat)
(2) Способность выдерживать короткое замыкание в течение 10 мкс
(3) VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
(4) Максимальная температура перехода 175℃
(5) Корпус с низкой индуктивностью
(6) Быстрый и плавный обратный восстанавливающий параллельный FWD
(7) Изолированная медная плата, использующая технологию DBC

Типичные применения

(1) Инвертор для привода двигателя
(2) Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
(3) Источник бесперебойного питания

GD300HFX170C2S

1700В/300А 2 в одном корпусе

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
Этот тип силового модуля обеспечивает крайне низкие потери на проводимость, а также устойчивость к короткому замыканию. Они разработаны для применения в таких устройствах, как промышленные инверторы и ИБП.

Абсолютные максимальные рейтинги

Т _C=25℃ если не указано иное

IGBT

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1700	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я _C	Коллекторный ток @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	650 300	A
Я _CM	Импульсный ток коллектора t _р=1 мс	600	A
Р _Г	Максимальное рассеивание мощности @ T _j=175℃	2050	В

Диод

Символ	Описание	Значение	Единица
В _RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1700	В
Я _F	Диод непрерывного прямого тока	300	A
Я _ЧМ	Максимальный прямой ток диода t _р=1 мс	600	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т _jmax	Максимальная температура стыка	175	℃
Т _{- Я не знаю.}	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	℃
Т _СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	℃
В _ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min	4000	В

Почему выбирают нас

1. Мы распространяем только продукты от китайских производителей с передовыми технологиями. Это наш ключевой показатель.
2. У нас строгие требования к выбору производителей.
3. Мы можем предложить клиентам альтернативные решения из Китая.
4. У нас есть ответственная команда.

Упаковка продукта