Из алибабы

Модуль IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Инверторы Преобразователи Приводы Оригинал Новый Ветрогенераторы Дискретные Полупроводниковые Модули

Модуль IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Инверторы Преобразователи Приводы Оригинал Новый Ветрогенераторы Дискретные Полупроводниковые Модули

Введение

Профиль компании

Beijing World E To Technology Co., Ltd. — это технологическая компания с правом импорта и экспорта, основанная на принципах инноваций и превосходства, занимающая передовые позиции в области альтернативных решений и технологий в сфере полупроводников. Мы специализируемся на проектировании полупроводниковых продуктов, контрактной кастомизации и дистрибуции. У нас строгие требования к выбору партнеров по сотрудничеству; мы сотрудничаем только с технологическими компаниями и производителями, обладающими передовыми технологиями проектирования и производства. Оптимизация автоматических линий передач на заводе является еще одной важной частью нашего контрактного производства.

Наша продукция

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Ядро инвертора
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Система хранения энергии
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) AISiC Основание для высокой циклической способности мощности
(2) Cu основание
(3) Высокая термостойкость при циклических нагрузках
(4) Высокая плотность тока

(5) Способность выдерживать короткое замыкание 10μs
(6) Низкое VCEsat

Типичные применения

(1) Приводы моторов
(2) Конверторы высокой мощности
(3) Ветряные турбины
(4) Инвертор высокой надежности

TG1000HF17H1-S300

1700В/1000А Полумостовой IGBT

Основные параметры

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES		1200	В
В _{CE (США)}	Тип.	1.85	В
Я _C	Макс.	1000	A
IC(RM)	Макс.	2000	A

Абсолютные максимальные значения ( Tcase = 25°C, если не указано иное )

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1700	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я _C	Ток коллектора при Tcase = 90 °C	1000	A
Я _C(PK)	Пиковый ток коллектора, tp=1мс, Tcase = 110 °C	2000	A
Р _макс	Макс. рассеиваемая мощность транзистора, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	В
Я ²т	Диод I ²t ,V _R=0V, T _Р= 10мс, T _vj= 150°C	144	кА ²с
В _{изолированный}	(Общие выводы к основанию), ПП, 1 мин, 50Гц	4000	В
Я _F	Прямой ток диода, ПК	1000	A
Я _ФРМ	Максимальный прямой ток диода, tp=1мс	2000	A
Монументы установки	Монтаж – M5	6	Нм
	Монтаж – M5	6
		Электрические соединения M8		10

Электрические характеристики

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

тип

Макс.

Значение

Единица

В _F

Прямое напряжение диода

Я _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

Я _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Я _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Я _ФРМ

Пиковое течение диоды вперед

т _Р= 1мс

2000

Я _F

Прямой ток диода,

Постоянный ток

1000

Irr

Обратный диод
ток восстановления

IF =1000A,
VCE = 900В,
- diF/dt = 7200A/мкс
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

620

655

Qrr

Обратный диод
заряд восстановления

285

μC

315

340

Е _rec

Энергия обратного восстановления диода

IF =900A,
VCE = 600В,
- diF/dt = 6800A/мкс
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

235

240

Электрические характеристики

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В _{СЕ (вкл)}	Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	В _GE=15В, I _C= 900А, T _vj= 25°C		1.75	2.15	В
				В _GE=15В, I _C= 900А, T _вj= 125°C			2.1	2.5
				В _GE=15В, I _C= 900А, T _vj= 150°C			2.2	2.6
Я _CES	Ток отсечения коллектора	В _GE=15В, I _C= 900А, Tvj= 25°C			1	mA
				В _GE=15В, I _C= 900А, Tvj= 125°C				10
				В _GE=15В, I _C= 900А, Tvj= 150°C				20
Я _ГЭС	Ток утечки затвора	В _СЕ=0В, V _GEутечка затвора			4	μA
В _{ГЕ (ТХ)}	Пороговое напряжение выпускателя	Я _C= 40мА, V _GE= V _СЕ	5.0	6.0	7.0	В
т _d(on)	Время задержки включения @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900В, VGE = ±15В, RG(ОТКЛ) = 1,8Ом, LS = 20нГн, dv/dt =3000В/мкс (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		nS
								1410
								1440
td(off)	Время задержки выключения @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900В, VGE = ±15В, RG(ОТКЛ) = 1,8Ом, LS = 20нГн, dv/dt =3000В/мкс (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		nS
								470
								450
Я _SC	Короткое замыкание	Tvj= 150°C, V _CC= 800В, В _GE≤15V, tp≤10μс, В _CE(макс)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
- Да, конечно.	Входной пропускной способностью	В _СЕ= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		нФ
Крес	Капацитет обратной передачи	В _СЕ= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		нФ
Главный офис	Сбор за вход	± 15 В		11.4		мК
Е _нА	Потеря энергии при включении @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900В, - diF/dt = 7200A/мкс (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
Е _{вЫКЛЮЧЕННЫЙ}	Энергия потерь при переключении отключения @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900В, - diF/dt = 7200A/мкс (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Почему выбирают нас

1. Мы распространяем только продукты от китайских производителей с передовыми технологиями. Это наш ключевой показатель.
2. У нас строгие требования к выбору производителей.
3. Мы можем предложить клиентам альтернативные решения из Китая.
4. У нас есть ответственная команда.

Упаковка продукта