Из алибабы

CRRC 1700V 2400A Высоковольтный модуль IGBT TIM2400ESM17-TSA000 Новое/Оригинальное Умная электросеть Модуль питания ШИМ Инвертор Преобразователь

CRRC 1700V 2400A Высоковольтный модуль IGBT TIM2400ESM17-TSA000 Новое/Оригинальное Умная электросеть Модуль питания ШИМ Инвертор Преобразователь

Введение

Профиль компании

Пекинская компания World E To Technology Co., Ltd. является технологической компанией с правом импорта и экспорта, основанной на принципах инноваций и превосходства, занимающей передовые позиции в области альтернативных решений и технологий в сфере полупроводников. Мы специализируемся на проектировании полупроводниковых продуктов, контрактной кастомизации и дистрибуции. У нас строгие требования к выбору партнеров по сотрудничеству; мы работаем только с технологическими компаниями и производителями, обладающими первоклассными технологиями проектирования и производства. Оптимизация линий автоматической трансмиссии завода является еще одной важной частью нашего контрактного производства. .

Наша продукция

1	Модуль IGBT и водитель
2	Модуль IGCT и водитель
3	Ядро инвертора
4	Диодный модуль
5	Триаковый модуль
6	Датчик тока
7	Конденсатор
8	Резистор
9	Твердотельный реле
10	Промышленные роботы и основные компоненты
11	Гражданские беспилотные летательные аппараты и основные компоненты

Описание продуктов

Особенности

(1) AISiC Основание
(2) Подложки AIN
(3) Высокая термостойкость при циклических нагрузках
(4) Способность выдерживать короткое замыкание 10μs

(5) Устройство с низким Vce(sat)

(6) Высокая плотность тока

Типичные применения

(1) Тяговые приводы
(2) Контроллеры двигателя
(3) Умная сеть
(4) Надежный инвертор

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17（E）

1700В/2400А Одинокий Переключение IGBT

Основные параметры

Символ	Описание	Значение	Единица
В _CES		1700	В
В _{CE (США)}	Тип.	1.75	В
Я _C	Макс.	2400	A
Я _{C ((RM)}	IC(RM)	4800	A

Абсолютные максимальные рейтинги

Символ	Параметры	Условия испытаний	Значение	Единица
В _CES	Напряжение коллектор-эмиттер	В _GE= 0В, T _C= 25 °C	1700	В
В _ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	Т _C= 25 °C	±20	В
Я _C	Ток коллектор-эмиттер	Т _C= 75°C	2400	A
Я _C(PK)	Пиковый коллекторный ток	т _Р=1 мс	4800	A
Р _макс	Максимальная мощность рассеяния транзистора	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	В
Я ²т	Диод I ²т	В _R=0V, T _Р= 10мс, Tvj= 150 °C	1170	кА ²с
Visol	Изоляционное напряжение – по модулю	(Общие терминалы к основанию), AC RMS,1 мин, 50Гц,T _C= 25 °C	4000	В
Q _ПД	Частичный разряд – по модулю	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	пК

Тепловые и механические данные

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Макс.	Значение		Единица
R _{т(J-C) IGBT}	Тепловое сопротивление – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{т(J-C) Диод}	Тепловое сопротивление – Диод			13	K / kW		℃
R _{т(C-H) IGBT}	Тепловое сопротивление – корпуса к радиатору (IGBT)	Момент затяжки 5Nm, с монтажной смазкой 1W/m·°C		6	K / kW		℃
Т _vj	Тепловая температура рабочего раздела	IGBT	-40	150	°C
Т _vj	Тепловая температура рабочего раздела			Диод	-40	150	°C
М	Момент затяжки	Установка M6		5	нм
				Электрические соединения – M4		2	нм
				Электрические соединения – M8		10	нм

Электрические характеристики

Символ	Параметры	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Я _CES	Ток отсечения коллектора	В _GE= 0V,V _СЕ= V _CES			1	mA
				В _GE= 0V, V _СЕ= V _CES, T _C= 0V,			40	mA
				В _GE= 0V, V _СЕ= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Я _ГЭС	Ток утечки затвора	В _GE= ±20V, V _СЕ= ±20V,			1	μA
В _{ГЕ (ТХ)}	Напряжение порога затвора	Я _C= 40мА, V _GE= V _СЕ	5.0	6.0	7.0	В
В _{СЕ (вкл)}	Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		В
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		В
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		В
Я _F	Диодный прямой ток	Постоянный ток		2400		A
Я _ФРМ	Пиковое течение диоды вперед	т _Р= 1мс		4800		A
В _F	Прямое напряжение диода	Я _F= 250A, V _GE= 0		1.65		В
				Я _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		В
				Я _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		В
Я _SC	Короткое замыкание	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, В _GE≤15V, tp≤10μс, В _CE(макс)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
- Да, конечно.	Входной пропускной способностью	В _СЕ= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		нФ
Главный офис	Сбор за вход	±15		19		μC
Крес	Капацитет обратной передачи	В _СЕ= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		нФ
Л _М	Индуктивность модуля			10		nH
R _ИНТ	Сопротивление внутреннего транзистора			110		мОм

Т кейс = 25°C, если не указано иное

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин

Тип

Макс

Единица

т _d(off)

Время задержки выключения

Я _C= 2400A
В _СЕ= 900V
Л _С~ 50нГн
В _GE= ±15В
R _G(ON)= 0.5Ом
R _G(OFF)= 0.5Ом

2320

Е _{ВЫКЛЮЧЕННЫЙ}

Потеря энергии при выключении

500

т _d(on)

Время задержки включения

1050

Е _НА

Потеря энергии при включении

410

Q _рР

Заряд обратного восстановления диода

Я _F= 2400A
В _СЕ= 900V
diF/dt =10000А/мкс

480

μC

Я _рР

Ток обратного восстановления диода

1000

Е _rec

Энергия обратного восстановления диода

320

Т кейс = 150°C, если не указано иное