Водяное охлаждение

MTx1200 MFx1200 MT1200,Тиристорные/Диодные модули,Охлаждение водой

1200A,600V~1800V,411F3

Brand:

ТЕХСЕМ

Spu:

MT1200 МФx1200 MT1200

Appurtenance:

Брошюра продукта:СКАЧАТЬ

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Тиристор Диодный модуль , MTx1200 MFx1200 MT1200 ，Водяное охлаждение ，произведенный TECHSEM. 1200А.

VRRM,VDRM

Тип и контур

600V

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

MT3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 МТ3 М

MFx1200-06-411F3 MFx1200-08-411F3 MFx1200-10-411F3 MFx1200-12-411F3 MFx1200-14-411F3 MFx1200-16-411F3 MFx1200-18-411F3

MTx означает любой тип MTC, MTA, MTK

MFx означает любой тип MFC, MFA, MFK

Особенности

Изолированная монтажная база 3000V~
Технология контактного давления с
Увеличенной способностью к циклам мощности
Экономия пространства и веса

Типичные применения

Двигатели двигателей СВ/ДС
Различные выпрямители
Подача постоянного тока для инверта PWM

Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Значение			Единица
Символ	Характеристика	Условия испытаний	Tj( ℃ )	Мин	ТИП	Макс	Единица
IT(AV)	Средний ток в проводимом состоянии	180° полусинусоида 50Гц Одностороннее охлаждение, THS=55 ℃	125			1200	A
IT(RMS)	Эффективный ток в состоянии включения	180° полусинусоида 50Гц Одностороннее охлаждение, THS=55 ℃	125			1884	A
Idrm Irrm	Повторяющийся пиковый ток	при VDRM при VRRM	125			55	mA
ITSM	Импульсный ток в проводимом состоянии	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			26.0	кА
Я ²т	I2t для координации плавления	VR=60%VRRM, t=10ms полусинус	125			3380	10³A ²s
В _До	Напряжение порога		125			0.83	В
r _Т	Сопротивление наклона в проводимом состоянии		125			0.14	мОм
В _TM	Пиковое напряжение в проводимом состоянии	ITM=3000A	25			1.88	В
dv/dt	Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Критическая скорость нарастания тока в состоянии включения	Источник затвора 1.5A tr ≤0.5μs Повторяющийся	125			200	A/μs
Я _GT	Ток срабатывания затвора	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
В _GT	Напряжение срабатывания затвора			0.8		3.0	В
Я _H	Ток удержания			10		200	mA
Я _Л	Ток захвата					1000	mA
В _GD	Напряжение затвора без срабатывания	VDM=67%VDRM	125			0.20	В
R _{th ((j-c)}	Тепловое сопротивление от узла к корпусу	Одностороннее охлаждение на чип				0.048	℃ /W
R _{th ((c-h)}	Тепловое сопротивление корпуса к радиатору	Одностороннее охлаждение на чип				0.018	℃ /W
В _иСО	Изоляционное напряжение	50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)		3000			В
ЧМ	Крутящий момент терминального соединения ((M12)			12		16	Н·м
ЧМ	Момент установки ((M8)			10		12	Н·м
Т _vj	Температура соединения			-40		125	℃
Т _сТГ	Хранимая температура			-40		125	℃
Вт	Вес				3230		g
Основные положения	411F3