GD75HFX170C1S,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

150

A

PD

Maximum VOEDING Dissipatie @ T vj =175o C

539

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

75

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

150

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

8.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.22

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =25o C

237

n

t r

Opstijgtijd

59

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

314

n

t f

Ouderdom

361

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

25.0

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

9.5

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =125o C

254

n

t r

Opstijgtijd

70

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

383

n

t f

Ouderdom

524

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

33.3

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

15.1

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V GE =±15V, LS =60nH ,T vj =150o C

257

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

396

n

t f

Ouderdom

588

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

36.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

16.6

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

58

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

7.2

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

64

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.8

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

64

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

18.2

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

30

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.65

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.278 0.467

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

150

g