GD600HFX170C6S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaar Stroom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1069

600

Een

I CM

Pulsed Verzamelaar Stroom t p =1 mS

1200

Een

P D

Maximum Vermogen Dissipatie @ T j = 175 o C

4166

W

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1700

V

I F

Diode met continue voorstroom

600

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1200

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt ature

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS ,f=50 HZ ,t=1 min.

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat )

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 600A, V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C = 600A, V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C = 600A, V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 12.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar-afsluiting

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.1

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.75

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

5.66

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, I C = 600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j =25 o C

160

n

t r

Opstijgtijd

67

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

527

n

t f

Ouderdom

138

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

154

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

132

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, I C = 600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C

168

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

585

n

t f

Ouderdom

168

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

236

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

189

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, I C = 600A, R G = 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C

192

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

624

n

t f

Ouderdom

198

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

259

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

195

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C ,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2400

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F = 600A, V GE =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F = 600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

I F = 600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C

153

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

592

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

76.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE - Ik ben niet... 15V T j =125 o C

275

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

673

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

150

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE - Ik ben niet... 15V T j =150 o C

299

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

690

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

173

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C = 100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC + EE ’

Module Loodweerstand, terminal aan Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junctie -tot -Geval (per IGBT )

Junctie -tot -Geval (per Diode )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Geval -tot -Verwarmingssink (per IGBT )

Geval -tot -Verwarmingssink (per Diode )

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage Koppel , Schroef M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g