GD600HFX170C6S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaar Stroom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

ICm

Pulsed Verzamelaar Stroom t p =1ms

1200

A

PD

Maximum VOEDING Dissipatie @ T j =175o C

4166

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1700

V

IF

Diode met continue voorstroom

600

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1200

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt ature

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 naar +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 naar +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS ,f=50 Hz ,t=1 mIN

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat )

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC= 600A, V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 600A, V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 600A, V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC= 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar-afsluiting

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.1

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.75

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V GE =±15V, T j =25o C

160

n

t r

Opstijgtijd

67

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

527

n

t f

Ouderdom

138

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

154

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

132

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 125o C

168

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

585

n

t f

Ouderdom

168

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

236

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

189

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V GE =±15V, T j = 150o C

192

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

624

n

t f

Ouderdom

198

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

259

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

195

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF = 600A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

IF = 600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

153

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

592

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

76.5

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C

275

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

673

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

150

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C

299

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

690

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

173

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C= 100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC ’+EE ’

Module Loodweerstand, terminal aan Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (per IGBT )

Junctie -naar -Geval (per Diode )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Geval -naar -Verwarmingssink (per IGBT )

Geval -naar -Verwarmingssink (per Diode )

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage Koppel , Schroef M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g