Īss ievads   
Tiristora/Dioda modulis, MTx 1000 MFx 1000 MT 1000,1000A ,Gaisa dzesēšana ,tECHSEM. 
 
| VRRM,VDRM    | Tips un kontūra  |   | 
| 2000V  2200V  2500V  2500V  | MT3tālrunis  MT3tālrunis  MT3tālrunis  MT3tālrunis  | MFx1000-20-412F3  MFx1000-22-412F3  MFx1000-25-412F3  |   | 
| MTx ir jebkura veida MTC, MTA, MTK  MFx ir jebkura veida MFC, MFA, MFK  | 
 
Īpašības 
- Izolēta montāžas bāze 3000V~ 
- Spiediena kontaktu tehnoloģija ar   
- Palielinātu jaudas ciklu spēju   
- Telpas un svara ietaupījums 
Tipiskas lietošanas metodes 
- AC/DC motoru vadītāji 
- Dažādi taisngrieži 
- Tiešsaistes pieslēgums PWM invertai 
 
|   Sīkāku informāciju  |   Iemesls  |   Testēšanas apstākļi  | Tj( °C ) | Vērtību  |   Drošības un drošības politika  | 
| Min    | Tips    | Max    | 
| IT(AV)  | Vidējā ieslēgšanās strāva  | 180° pusviļņa 50Hz  Vienkārša atdzesēta puse, TC=55 °C  |   125 |   |   | 1000 | A  | 
| IT ((RMS)  | RMS aktīvā strāva    |   |   | 1570 | A  | 
| Idrm Irrm  | Atkārtota maksimuma strāva  | pie VDRM pie VRRM  | 125 |   |   | 60 | mA  | 
| ITSM  | Pārsprieguma ieslēgšanās strāva  | VR=60%VRRM, t=10ms pussinusa  | 125 |   |   | 18 | kA  | 
| I2t  | I2t saplūšanas koordinācijai  | 125 |   |   | 1620 | 103A2s  | 
| VTO  | Sīkāko spiedienu  |   |   125 |   |   | 0.85 | V  | 
| rt  | Ieslēgšanās slīpuma pretestība  |   |   | 0.24 | mΩ  | 
| VTM  | Maksimālais ieslēgšanās spriegums  | ITM=3000A  | 25 |   |   | 2.40 | V  | 
| dv/dt  | Kritiskā izslēgšanās sprieguma pieauguma ātrums  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 1000 | V/μs  | 
| di/dt  | Sadarbības stāvokļa strāvas kritiskā pieauguma ātrums  | Vārsta avots 1.5A    tr ≤0.5μs Atkārtota    | 125 |   |   | 200 | A/μs  | 
| IGT  | Vārsta aktivizēšanas strāva  |     VA=12V, IA=1A  |     25 | 30 |   | 200 | mA  | 
| Vgt  | Vārsta aktivizēšanas spriegums  | 0.8 |   | 3.0 | V  | 
| IH  | Turēšanas strāva  | 20 |   | 200 | mA  | 
| IL  | Bloķēšanas strāva  |   |   | 1000 | mA  | 
| VGD  | Neaktivizējošais vārsta spriegums  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 0.20 | V  | 
| Rth(j-c)  | Siltuma pretestība no savienojuma līdz korpusam  | Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai  |   |   |   | 0.048 | °C /W | 
| Rth(c-h)  | Siltuma pretestība korpuss uz siltuma izkliedētāju  | Vienpusēji dzesēts katram mikroshēmai  |   |   |   | 0.030 | °C /W | 
| VISO  | Izolācijas spriegums  | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (max)  |   | 3000 |   |   | V  | 
|   FM  | Slēguma savienojuma griezes moments ((M12)  |   |   | 12 |   | 16 | N·m  | 
| Pievienošanas griezes moments ((M8)  |   |   | 10 |   | 12 | N·m  | 
| TVj  | Junkcijas temperatūra  |   |   | -40 |   | 125 | °C  | 
| TSTG  | Uzglabāšanas temperatūra  |   |   | -40 |   | 125 | °C  | 
| Wt  | Svars  |   |   |   | 3660 |   | g    | 
| Kontūra  | 412F3  |